时间：2025/5/20 17:13:32
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FDW2520C 是一款高性能的 N 沗道增强型场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适合要求高效能和紧凑设计的应用场景。
该 MOSFET 的封装形式为 SOT-23，具有小体积和易于贴装的特点，适用于对空间有严格要求的设计。FDW2520C 的典型应用包括便携式设备、消费类电子产品以及工业控制等。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.6A
导通电阻（Rds(on)）：75mΩ（典型值，Vgs=4.5V时）
栅极电荷：1.5nC（典型值）
开关时间：ton=9ns，toff=18ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+150℃
FDW2520C 具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可有效减少功率损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，能够适应高频开关应用场景，降低电磁干扰。
3. 小型化封装（SOT-23），节省电路板空间，便于实现小型化设计。
4. 良好的热稳定性，即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
5. 优异的静电防护能力，提高系统的可靠性和抗干扰能力。
这些特性使 FDW2520C 成为众多低电压、低功耗应用的理想选择。
FDW2520C 可用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流电路。
2. 电池管理系统的负载开关。
3. 电机驱动和保护电路。
4. 消费类电子产品的电源管理模块。
5. 工业控制设备中的信号切换。
由于其低导通电阻和小型封装，FDW2520C 特别适合于需要高效能和紧凑设计的便携式设备及手持终端。
FDS2520C, BSS138
