时间：2025/7/23 14:59:10
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STGP19NC60H是一款N沟道功率MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产，适用于高效率电源转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和高电流容量的特点，适合用于DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
漏极电流（Id）：19A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：0.25Ω（最大）
功率耗散（Ptot）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220
STGP19NC60H的主要特性包括低导通电阻，这使得在高电流条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有良好的热稳定性和高耐压能力，能够承受较高的工作电压，从而提高系统的可靠性和稳定性。其高电流容量和良好的散热设计使得该MOSFET适用于各种高功率应用场合。该器件的封装形式（TO-220）便于安装和散热，适用于各种电源管理模块。
STGP19NC60H广泛应用于电源转换器、DC-DC转换器、电源管理模块、电机控制电路、照明系统以及工业自动化设备中。其高效率和高可靠性使其成为各种高功率应用的理想选择。
STP19NK60Z, IRFPC50, FQP19N60C
