型号：6CE470AX
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　材料：GaN-on-Si
　　封装形式：Chip-Scale Package (CSP)
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：35 A
　　导通电阻（RDS(on)）：4.7 mΩ（典型值，VGS = 5 V）
　　栅极阈值电压（Vth）：1.2 V（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1070 pF（典型值，VDS = 50 V, VGS = 0 V）
　　输出电容（Coss）：295 pF（典型值，VDS = 50 V, VGS = 0 V）
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C（典型值，GaN器件无体二极管反向恢复）
　　最大工作结温（Tj）：150 °C
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　引脚数：4
　　尺寸：0.87 mm × 1.55 mm × 0.27 mm（L×W×H）

6CE470AX的核心优势在于其基于GaN（氮化镓）半导体材料的物理特性，实现了远超传统硅MOSFET的电气性能。首先，其导通电阻仅为4.7 mΩ，在100V耐压等级的器件中处于领先水平，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，由于采用了增强型结构（即常关型），该器件在栅极为零电压时处于关闭状态，提升了系统的安全性和易用性，特别适合直接替代硅基MOSFET而无需复杂的驱动电路改造。该器件具有极低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），使得在高频开关应用中（如MHz级LLC或同步整流拓扑）能够大幅减少开关损耗，从而支持更高频率的设计，减小磁性元件和电容的体积，实现更高的功率密度。
　　6CE470AX的无封装CSP设计不仅缩小了器件尺寸，还极大降低了封装引入的寄生电感，这对于高频开关应用至关重要。低寄生电感有助于抑制电压过冲和振铃现象，提升系统的电磁兼容性（EMC）性能。此外，该设计允许通过芯片底部大面积焊接到PCB铜层进行高效散热，热阻（RθJC）极低，确保在高功率密度工作条件下仍能维持稳定结温。器件的反向恢复电荷为零，因为GaN FET不依赖PN结体二极管，避免了传统硅MOSFET在硬开关或同步整流中因反向恢复产生的能量损耗和噪声问题，进一步提升了系统效率与可靠性。
　　该器件支持快速开关边沿（上升/下降时间在纳秒级别），适用于激光驱动、射频功率放大和高速电源转换等对动态响应要求极高的场景。同时，其工作结温可达150°C，具备良好的高温工作能力，适合在严苛环境下运行。EPC还为该系列器件提供详细的热仿真模型、SPICE模型和参考设计，便于工程师进行系统级仿真与优化。

6CE470AX广泛应用于需要高效率、高频开关和高功率密度的现代电力电子系统中。在数据中心和服务器电源中，它可用于48V转12V或12V稳压器（VRM）的同步整流或初级侧开关，显著提升转换效率并缩小电源模块体积。在无线充电系统中，尤其是高功率（如15W以上）的Qi标准或多线圈设计中，6CE470AX可用于谐振逆变器，支持MHz级工作频率，提高能量传输效率并减少发热。在汽车电子领域，该器件适用于车载激光雷达（LiDAR）的脉冲驱动电路，利用其纳秒级开关能力生成高精度、高幅值的电流脉冲，以实现远距离、高分辨率的目标探测。
　　在D类音频放大器中，6CE470AX可用于半桥或全桥输出级，支持超高开关频率（>500kHz），减少滤波器体积并改善音频保真度。在工业电源和电信整流器中，该器件可用于高频DC-DC变换器，如图腾柱PFC（Power Factor Correction）拓扑，利用其零反向恢复特性消除传统硅器件在桥臂切换中的损耗瓶颈，实现>99%的PFC效率。此外，6CE470AX还可用于太阳能微型逆变器、无人机电源系统、高端FPGA或GPU供电模块等对空间和效率有极致要求的应用场景。其小型化和高性能特点也使其成为下一代便携式高功率适配器（如GaN充电器）的理想选择。

EPC2045
　　EPC2067
　　LMG5200