DMP3056LDM 时间：2025/6/26 12:08:08 阅读：4

DMP3056LDM 是一款 N 沣道半导体（Nexperia）生产的沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 DPAK 封装形式，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理和功率转换应用。其主要用途包括 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器以及电池保护电路等。该芯片的工作电压范围较广，能够在高温环境下保持稳定运行。

参数

最大漏源电压：30V
　　连续漏极电流：27A
　　导通电阻：1.4mΩ
　　栅极电荷：37nC
　　开关时间：典型值 18ns
　　封装形式：DPAK
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

DMP3056LDM 的主要特性在于其超低的导通电阻，这有助于减少传导损耗并提高整体效率。此外，该器件具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗。同时，其高电流承载能力和宽泛的工作温度范围使得它非常适合用于严苛环境下的高性能应用。
　　该芯片还具备良好的热稳定性，通过优化的封装设计提高了散热性能。在动态操作中，DMP3056LDM 的低栅极电荷特性可以进一步提升系统的效率，并且其坚固的结构设计使其能够承受高频切换时的电气应力。

应用

DMP3056LDM 广泛应用于需要高效功率转换的场景，例如笔记本电脑适配器、服务器电源、通信电源、电动工具驱动以及汽车电子系统中的 DC-DC 转换模块。
　　此外，该器件也可用作负载开关，在 USB 充电端口或电池管理系统中提供精确的电流控制。其高可靠性也使其成为工业设备、太阳能逆变器以及其他需要大电流处理能力的应用的理想选择。