STGF3NC120HD
时间:2023/6/9 14:20:45
阅读:425
概述
制造商:STMicroelectronics
产品种类:IGBT 晶体管
封装 / 箱体:TO-220FP
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极击穿电压:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.8 V
栅极/发射极最大电压:20 V
集电极最大连续电流 Ic:6 A
栅极—射极漏泄电流:+/- 100 nA
功率耗散:25 W
封装:Tube
配置:Single
最大工作温度:+ 150℃
最小工作温度:- 55℃
安装风格:Through Hole
资料
厂商 |
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STMICROELECTRONICS |
STMicroelectronics |
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- STGF3NC120HD
- 深圳市楚胜电子有限公司
- 22358
- ST
- 22+/TO 220 ISO FULL PACK IN LINE
-
STGF3NC120HD参数
- 其它有关文件STGF3NC120HD View All Specifications
- 标准包装50
- 类别分离式半导体产品
- 家庭IGBT - 单路
- 系列PowerMESH™
- IGBT 类型-
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
- Vge, Ic时的最大Vce(开)2.8V @ 15V,3A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大)6A
- 功率 - 最大25W
- 输入类型标准型
- 安装类型通孔
- 封装/外壳TO-220-3 整包
- 供应商设备封装TO-220FP
- 包装管件
- 其它名称497-4353-5