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R7001004XXUA 发布时间 时间:2025/8/7 3:06:49 查看 阅读:42

R7001004XXUA是瑞萨电子(Renesas Electronics)推出的一款功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换的电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性,适用于诸如电源管理、电机控制、电池充电器以及工业自动化等高要求的场景。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(VDS):100V
  栅源电压(VGS):±20V
  最大漏极电流(ID):40A(在25°C)
  导通电阻(RDS(on)):最大4.5mΩ(在VGS=10V时)
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:通孔

特性

R7001004XXUA具有低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高系统效率。其高耐压能力(100V)使其适用于多种高电压应用环境。该MOSFET的封装形式为TO-247,提供了良好的热管理和机械稳定性。此外,它具备快速开关特性,可以支持高频操作,从而减小外部滤波元件的尺寸并提高整体系统的响应速度。在极端工作条件下,如高温或高湿度环境中,该器件也能保持稳定性能,适合工业级应用需求。

应用

R7001004XXUA适用于多种电力电子应用,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)以及工业自动化设备。由于其高可靠性和高效率特性,这款MOSFET也常用于新能源领域,如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。

替代型号

R7001004XQMC R7001004XXUC

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R7001004XXUA参数

  • 标准包装5
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/整流器
  • 系列-
  • 二极管类型标准
  • 电压 - (Vr)(最大)1000V(1kV)
  • 电流 - 平均整流 (Io)450A
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)1.6V @ 1500A
  • 速度标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间(trr)11µs
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电50mA @ 1000V
  • 电容@ Vr, F-
  • 安装类型底座,接线柱安装
  • 封装/外壳DO-200AA,A-PUK
  • 供应商设备封装DO-200AA,R62
  • 包装散装