类型：DDR3L SDRAM
　　容量：4Gb (512MB)
　　组织结构：512M x 8 bits
　　电压：1.35V ± 0.1V（低电压版）
　　工作温度范围：0°C 至 +95°C（结温）
　　封装形式：FBGA (Fine-Pitch Ball Grid Array)
　　引脚数量：96-ball
　　数据速率：最高支持 1600 Mbps（DDR3-1600）
　　时钟频率：800 MHz
　　刷新模式：自动刷新 / 自刷新 / 温度补偿自刷新（TCSR）
　　输入/输出逻辑：SSTL_135
　　 burst length：8 (固定或通过A12选择)
　　burst type：顺序或交错（由A12控制）

K4B4G0846E-BYK0000 具备多项先进的技术特性，使其在同类产品中具有显著优势。首先，其采用1.35V低电压设计，相较于传统1.5V DDR3内存，功耗降低了约20%以上，特别适合电池供电或对热管理要求严格的设备。这种节能特性不仅延长了终端产品的续航时间，也减少了散热需求，有助于实现更紧凑的设计。
　　其次，该芯片支持多种刷新模式，包括自动刷新、自刷新和温度补偿自刷新（TCSR）。TCSR功能可根据芯片内部温度动态调整刷新周期，在高温下增加刷新频率以确保数据稳定，在低温时则降低频率以节省电力，从而在可靠性和能效之间取得最佳平衡。这一机制对于长期运行或环境温度变化较大的应用场景尤为重要。
　　再者，K4B4G0846E-BYK0000 集成了部分阵列自刷新（PASR）功能，允许用户仅对使用的存储区域进行刷新，未使用的部分进入低功耗状态，进一步减少能耗。这对于多任务操作系统中内存使用不均的情况非常有利，可智能地管理资源并提升整体效率。
　　此外，该器件支持深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在此模式下几乎所有内部电路都会关闭，仅保留基本的电源监控功能，使待机电流降至极低水平，适用于长时间休眠的便携式设备。
　　在信号完整性方面，该芯片采用SSTL_135 I/O标准，具备良好的噪声抑制能力和高速传输稳定性。同时，其内部集成了片上终结电阻（ODT），可在读写过程中动态启用，减少信号反射，提高总线性能和系统的可靠性。这些特性共同确保了其在高频运行下的稳定表现。

K4B4G0846E-BYK0000 广泛应用于各类需要高性能、低功耗内存解决方案的电子系统中。常见应用领域包括超薄笔记本电脑、平板电脑、二合一移动设备等便携式计算平台，其中低电压特性能够显著延长电池续航时间，同时满足现代操作系统和应用程序对内存带宽的需求。
　　在网络通信设备中，如路由器、交换机、基站控制器等，该芯片作为主内存或缓存单元使用，提供快速的数据访问能力，保障数据包处理的实时性与吞吐量。其高可靠性和宽温工作能力也使其适用于工业自动化控制系统，例如PLC、HMI人机界面、工业PC等，在恶劣环境下仍能保持稳定运行。
　　在消费类电子产品方面，智能电视、机顶盒、数字录像机（DVR）等多媒体设备常采用此类DDR3L颗粒作为图形内存或系统内存，支持高清视频解码与多任务并行处理。此外，在车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）中，该芯片也被用于图像处理和传感器数据缓存，确保行车过程中的响应速度与系统稳定性。
　　由于其符合环保标准（无铅、符合RoHS指令），并具备高集成度和小尺寸封装，K4B4G0846E-BYK0000 还适用于空间受限的嵌入式模块，如单板计算机（SBC）、物联网网关、边缘计算节点等。总体而言，该芯片凭借其优异的性能与功耗表现，已成为众多中高端电子设备中不可或缺的核心组件之一。

K4B4G0846F-BYK0