您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STGF15M65DF2

STGF15M65DF2 发布时间 时间:2025/5/23 20:52:54 查看 阅读:39

STGF15M65DF2 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的碳化硅 (SiC) MOSFET。该器件采用先进的 SiC 技术制造,具有高效率、高频开关能力以及出色的热性能,非常适合用于工业电源、光伏逆变器、电动汽车充电设备等应用领域。
  该器件设计为满足现代功率转换系统对高效能和紧凑尺寸的需求,同时提供较低的导通电阻和快速开关特性,从而减少了能量损耗并提高了整体系统性能。

参数

额定电压:650V
  额定电流:15A
  导通电阻:90mΩ
  栅极电荷:35nC
  反向恢复时间:40ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

STGF15M65DF2 具有以下显著特性:
  1. 高电压承受能力,额定电压高达 650V,适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻,仅为 90mΩ,在高电流条件下能够有效降低传导损耗。
  3. 快速开关速度,其低栅极电荷和短反向恢复时间确保了高频操作下的高效表现。
  4. 良好的热稳定性,能够在 -55℃ 至 175℃ 的宽温范围内可靠运行,适合极端环境的应用。
  5. 小型化封装设计,有助于减小最终产品的尺寸和重量。
  6. 碳化硅技术带来的更高效率和更少的能量损耗,进一步提升了系统的整体性能。

应用

STGF15M65DF2 主要应用于以下领域:
  1. 工业电源转换系统,如不间断电源 (UPS) 和电机驱动器。
  2. 新能源领域中的光伏逆变器和风力发电转换器。
  3. 电动汽车相关设备,例如车载充电器 (OBC) 和直流充电桩。
  4. 消费类电子产品的高性能适配器和快充解决方案。
  5. 高频 DC-DC 转换器和其他需要高效率和高频率工作的电力电子设备。

替代型号

STGFD15H65DF2
  Cree C2M0160065J
  Infineon IMW15R090M1H

STGF15M65DF2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STGF15M65DF2参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥13.44000管件
  • 系列-
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • IGBT 类型沟槽型场截止
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)650 V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)30 A
  • 电流 - 集电极脉冲 (Icm)60 A
  • 不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值)2V @ 15V,15A
  • 功率 - 最大值31 W
  • 开关能量90μJ(开),450μJ(关)
  • 输入类型标准
  • 栅极电荷45 nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值24ns/93ns
  • 测试条件400V,15A,12 欧姆,15V
  • 反向恢复时间 (trr)142 ns
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装TO-220FP