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PMD25K200 发布时间 时间:2025/8/5 2:06:38 查看 阅读:3

PMD25K200是一款由Power Integrations公司生产的功率MOSFET模块,广泛应用于高功率密度和高效率的电源系统中。该模块结合了先进的封装技术和高性能的MOSFET芯片,能够提供优异的热性能和电气性能。PMD25K200采用表面贴装封装设计,适用于各种工业和消费类电源设备。

参数

类型:功率MOSFET模块
  漏源电压(Vds):200V
  连续漏极电流(Id):25A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为35mΩ
  封装类型:表面贴装
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  功耗:150W

特性

PMD25K200具有极低的导通电阻,能够显著降低导通损耗,提高整体系统效率。其先进的封装设计提供了优异的热管理性能,确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
  此外,PMD25K200具备高雪崩能量耐受能力,增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。该模块还采用了优化的引脚布局,以减少寄生电感,从而降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。
  该器件的高集成度和紧凑设计使其非常适合用于空间受限的应用。其高可靠性设计确保了在严苛环境下的长期稳定运行,适用于各种高要求的工业应用。

应用

PMD25K200广泛应用于各种电源管理系统,包括高功率DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、工业自动化设备以及不间断电源(UPS)系统。此外,它还适用于太阳能逆变器、电焊机和电动工具等高功率应用。
  在电动汽车充电设备中,PMD25K200能够提供高效的功率转换,支持快速充电和高可靠性。其优异的热性能也使其成为高温环境中电源模块的理想选择。

替代型号

PMD25K200可以替代的型号包括IRF1405、STP25NM50和FDPF25N20。这些型号在某些应用中可以提供类似的电气性能和机械特性,但需要根据具体电路设计和散热条件进行验证和调整。

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