存储容量：4Mbit
　　组织方式：512K x 8位
　　电源电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：70ns（最大）
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　读取电流：最大5mA
　　待机电流：最大1μA
　　写入/擦除电压：内部电荷泵生成
　　擦除周期：10,000次（典型）
　　数据保持时间：10年（最小）

LH28F004SCT-Z4 是一款高性能的并行Flash存储器，采用CMOS工艺制造，具有优异的耐用性和数据保持能力。该芯片支持快速的读取访问时间，确保在高速系统中实现高效的数据传输。内部集成的电荷泵电路使其在写入和擦除操作时无需外部高压电源，简化了系统设计并降低了功耗。
　　此外，LH28F004SCT-Z4 提供了多种保护机制，包括硬件写保护（WP#）和软件写保护，有效防止误写入和误擦除，提高系统数据的安全性。其低功耗设计在待机模式下电流消耗极低，适用于对能耗敏感的应用场景。
　　该芯片的TSOP封装形式具有良好的散热性能和空间利用率，适合高密度PCB布局。同时，其宽温工作范围（-40°C至+85°C）使其在工业级应用中表现稳定，适应各种恶劣环境。

LH28F004SCT-Z4 主要用于需要非易失性存储的嵌入式系统中，如网络设备、通信模块、工业控制设备、打印机、测试仪器、医疗设备以及消费类电子产品。由于其高可靠性和宽温特性，该芯片特别适合在工业自动化、汽车电子、智能仪表等对环境适应性要求较高的场合中使用。

Intel StrataFlash Memory P30 (28F320P30T)
　　Spansion S29GL032N
　　Rohm LH28F004SCTB-Z4