型号：STGD7NB60SD
　　制造商：STMicroelectronics
　　器件类型：IGBT + 串联二极管
　　集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：600 V
　　集电极电流（IC @ TC=25°C）：7 A
　　集电极脉冲电流（ICM）：18 A
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat) @ IC=3.5A, VGE=15V）：1.7 V（典型值）
　　栅极-发射极阈值电压（VGE(th)）：4.0 V 至 6.0 V
　　输入电容（Cies）：500 pF（典型值）
　　开通延迟时间（td(on)）：60 ns
　　关断延迟时间（td(off)）：600 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DPAK（TO-252）

STGD7NB60SD采用了STMicroelectronics先进的场截止沟道栅IGBT工艺，这种结构不仅显著降低了导通压降，还优化了载流子分布，从而在保证高耐压的同时实现了更低的导通损耗和开关损耗。其Vce(sat)典型值仅为1.7V，在同类产品中表现出色，这使得在大电流工作状态下温升更小，系统效率更高。
　　该器件集成了一只快速恢复二极管，该二极管具有较低的反向恢复电荷（Qrr）和软恢复特性，有效抑制了di/dt引起的电压尖峰，减少了电磁干扰（EMI），提高了系统在高频开关环境下的稳定性。此外，二极管的反向恢复时间（trr）较短，进一步提升了整体能效。
　　STGD7NB60SD具备出色的热稳定性和长期可靠性，能够在结温高达150°C的条件下持续工作，适用于严苛的工业环境。其DPAK封装具有良好的热阻特性（Rth(j-c)约2°C/W），便于通过PCB敷铜或加装散热片实现高效散热。
　　该IGBT还具备一定的短路耐受能力，可在特定条件下承受短时过流而不发生永久性损坏，增强了系统的故障保护能力。同时，其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（推荐15V驱动），便于与各类驱动IC配合使用。
　　器件符合RoHS环保要求，并通过了严格的可靠性测试，适用于对质量和寿命有高要求的应用场景。

STGD7NB60SD广泛应用于多种中等功率电力电子变换系统中。在开关模式电源（SMPS）中，常用于PFC升压级或主逆变桥臂，利用其高效率和低损耗特性提升整机能效。在空调、洗衣机等变频家电中，该器件可用于电机驱动模块，实现精确的速度控制和节能运行。
　　在工业领域，STGD7NB60SD被用于小型逆变器、UPS不间断电源、焊接设备以及感应加热装置中，作为核心功率开关元件。其集成的快速恢复二极管特别适合用于需要续流功能的拓扑结构，如半桥、全桥和LLC谐振转换器。
　　此外，该器件也适用于太阳能微逆变器、LED恒流驱动电源以及电动汽车车载充电机（OBC）的辅助电源部分。由于其表面贴装封装形式，适合自动化贴片生产，有利于降低制造成本并提高生产一致性。
　　在设计中，建议配合专用IGBT驱动芯片（如L6398、IRS2110等）使用，并合理设计栅极电阻以优化开关速度与EMI之间的平衡。同时应注意PCB布局中的热管理与噪声隔离，确保系统长期稳定运行。

FGD7N60SFD