LES010ZE-3N 时间：2025/12/26 20:56:50 阅读：18

LES010ZE-3N是一款由Littelfuse公司生产的瞬态电压抑制二极管（TVS二极管阵列），专为保护敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电快速瞬变脉冲群（EFT）以及雷击感应等瞬态过电压事件的影响而设计。该器件采用多芯片封装技术，内部集成了多个TVS二极管，能够同时对多条信号线提供高效、低电容的浪涌保护。LES010ZE-3N常用于高速数据接口和通信线路中，在不影响信号完整性的同时提供可靠的过压保护。其小型化封装设计适合空间受限的应用场景，如便携式消费类电子产品、工业控制设备和通信模块等。该器件符合RoHS和无卤素要求，适用于现代环保制造工艺，并通过了IEC 61000-4-2、IEC 61000-4-4和IEC 61000-4-5等多项国际电磁兼容性标准认证，确保在严苛电磁环境下的稳定运行。

参数

类型：瞬态电压抑制二极管阵列
　　通道数：3
　　工作电压（VRWM）：5.0 V
　　击穿电压（VBR）：最小6.4 V，最大7.8 V
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.5 A
　　钳位电压（VC）：12 V（在IPP下）
　　电容值（Cj）：典型值2.5 pF（在0 V偏压下）
　　反向漏电流（IR）：最大1 μA（在VRWM下）
　　封装形式：SOD-523
　　极性：双向
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：±15 kV（接触放电，IEC 61000-4-2 Level 4）

特性

LES010ZE-3N具备优异的瞬态抑制性能，能够在纳秒级时间内响应高达±15kV的静电放电冲击，有效防止因人体接触或设备操作过程中产生的静电对后级电路造成损伤。其核心优势在于超低结电容（典型值仅为2.5pF），这一特性使其特别适用于高速信号传输路径，例如USB 2.0、HDMI、SD卡接口、触摸屏控制器以及其他高频模拟或数字信号线，能够在不引入明显信号衰减或失真的前提下实现全面保护。
　　该器件采用双向极性设计，支持交流信号线路的保护需求，无需考虑信号极性方向，简化了电路布局与设计流程。同时，其1.5A的峰值脉冲电流承载能力确保在面对多次重复性瞬变事件时仍能保持长期稳定性与可靠性。得益于先进的硅基雪崩技术，LES010ZE-3N在导通状态下可将瞬态能量迅速泄放到地，限制输出端电压不超过12V的安全阈值，从而保障下游IC的安全运行。
　　此外，SOD-523微型表面贴装封装不仅节省PCB空间，还具有良好的热传导性能和机械强度，适合自动化贴片生产工艺。器件本身满足AEC-Q101车规级可靠性测试要求，可用于汽车电子系统中的传感器接口、信息娱乐系统及车载通信模块。整体设计兼顾高性能、小尺寸与高可靠性，是现代高密度电子系统中理想的ESD保护解决方案之一。

应用

广泛应用于便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的高速数据接口保护；也适用于计算机外设如USB端口、键盘鼠标接口、存储卡插槽等易受ESD影响的部位；在工业控制系统中用于PLC通信端口、传感器信号调理电路的浪涌防护；还可部署于汽车电子领域的CAN/LIN总线、多媒体接口和人机交互面板中以提升系统EMI抗扰度；此外，在电信设备、网络路由器和IoT终端设备中作为前端一级保护器件使用，增强整机的环境适应性和长期运行稳定性。