时间：2025/5/12 21:40:10
阅读：7
STFW3N170 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款 N 沃特 (N-Channel) 超级结功率 MOSFET。该器件采用先进的超级结技术，具有低导通电阻、高效率和快速开关性能等特点，非常适合于高频开关电源、DC-DC 转换器、PFC（功率因数校正）电路以及电机驱动等应用。
STFW3N170 的额定电压为 650V，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的 Rds(on)，使其在各种功率转换场景中表现出色。其封装形式通常为 TO-247 或 D2PAK，适合表面贴装和插件应用。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：17A
导通电阻（Rds(on)）：0.09Ω
栅极电荷（Qg）：78nC
输入电容（Ciss）：2140pF
反向恢复时间（trr）：75ns
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
STFW3N170 采用超级结技术设计，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，支持高频操作，适用于开关电源和其他高频应用场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的耐用性和可靠性。
4. 栅极电荷较小，可降低驱动功耗。
5. 具有出色的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
STFW3N170 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
2. 功率因数校正（PFC）电路中的升压开关。
3. DC-DC 转换器中的同步整流或降压/升压转换。
4. 电机驱动中的功率开关。
5. 工业电源和逆变器中的功率开关元件。
6. 太阳能微逆变器和其他可再生能源系统中的功率管理组件。
STW45N100HD, FDP15N65SBD, IRFB3207
