时间：2025/7/23 9:38:56
阅读：2
STF9NM60N是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高电压、高电流功率MOSFET晶体管，采用先进的StripFET?技术，具备低导通电阻和高开关性能，适用于多种高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：9A
最大漏-源电压（VDS）：600V
导通电阻（RDS(on)）：0.85Ω（最大）
栅极电荷（Qg）：24nC（典型）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220FP、D2PAK
STF9NM60N采用先进的StripFET技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了能效。
该器件支持高达600V的漏-源电压，适用于需要高电压操作的应用场景。
其低栅极电荷特性提升了开关速度，从而减少了开关损耗，适用于高频开关电源设计。
此外，该MOSFET具备良好的热稳定性和高耐用性，能够在高温环境下稳定工作，增强了系统的可靠性。
封装形式包括TO-220FP和D2PAK，便于散热并适用于不同的PCB布局需求。
STF9NM60N广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、照明系统（如HID灯镇流器）以及工业自动化设备等需要高效功率管理的场合。
STP9NK60Z、STF9N60DM2、IRFBC20、FQP9N60C
