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NTTFS4C05NTWG 发布时间 时间:2025/4/30 9:47:43 查看 阅读:4

NTTFS4C05NTWG 是一款 N 沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),适用于开关和功率管理应用。它具有低导通电阻、高效率和快速开关速度的特点,适合于电源转换器、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:21A
  导通电阻:3.8mΩ
  栅极电荷:47nC
  总电容:1490pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

该 MOSFET 具有低导通电阻,有助于降低功率损耗并提高效率。同时,其快速的开关速度可以减少开关损耗,非常适合高频应用。此外,它还具备出色的热稳定性和可靠性,能够在极端温度条件下正常工作。
  NTTFS4C05NTWG 的封装形式为 D2PAK(TO-263),提供良好的散热性能,并且易于集成到各种电路设计中。这款器件还支持过流保护和短路保护功能,确保在异常情况下不会对系统造成损害。

应用

这款 MOSFET 广泛应用于开关模式电源(SMPS)、电机控制、工业自动化设备、通信电源、消费类电子产品以及汽车电子等领域。例如,在电池管理系统中可以用作负载开关或同步整流器;在 LED 驱动电路中则能够实现高效调光控制。

替代型号

NTTFS4C05NTEX, IRFZ44N, FDP55N06L

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NTTFS4C05NTWG参数

  • 现有数量0现货395,000Factory
  • 价格1 : ¥9.94000剪切带(CT)5,000 : ¥4.00565卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)12A(Ta),75A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.6 毫欧 @ 30A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)31 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1988 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)820mW(Ta),33W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-WDFN(3.3x3.3)
  • 封装/外壳8-PowerWDFN