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GA1210Y184MBBAR31G 发布时间 时间:2025/5/30 18:00:15 查看 阅读:11

GA1210Y184MBBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提高系统效率。
  该型号是为满足工业级应用而设计,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行,同时具备优异的抗电磁干扰能力。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):120V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):18mΩ
  栅极电荷(Qg):65nC
  工作温度范围:-55℃ to +175℃

特性

GA1210Y184MBBAR31G的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高整体效率。
  2. 高速开关性能,适合高频应用场景。
  3. 较宽的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
  4. 强大的热稳定性,确保长时间运行的安全性。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
  6. 优化的ESD防护设计,增强了芯片的可靠性。

应用

这款功率MOSFET适用于多种场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC转换器的同步整流管或开关管。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 负载开关和保护电路中的电子开关。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的高压驱动组件。

替代型号

IRFZ44N
  STP10NK60Z
  FDP15U20A
  IXTH10N120T2

GA1210Y184MBBAR31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.18 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定100V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-