时间：2025/4/28 12:39:41
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STF9NK90Z是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装形式，适用于多种高压应用场合。其设计旨在提供高效率和可靠性，广泛应用于开关电源、电机驱动以及各种工业控制领域。
STF9NK90Z的额定电压为900V，具备低导通电阻和出色的热性能。这使得它能够在高电流条件下保持高效运行，并减少能量损耗。
最大漏源电压：900V
连续漏极电流：9A
栅极电荷：65nC
导通电阻：1.7Ω
功耗：180W
结温范围：-55℃至+175℃
STF9NK90Z具有以下显著特点：
1. 高击穿电压：900V的工作电压使其非常适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻：在高压MOSFET中，其1.7Ω的导通电阻表现优异，有助于降低传导损耗。
3. 快速开关能力：较低的栅极电荷（65nC）确保了较快的开关速度，从而提高整体效率。
4. 良好的热稳定性：即使在高温环境下，也能保持稳定的性能。
5. 小型化封装：尽管是TO-220封装，但其紧凑的设计节省了电路板空间。
STF9NK90Z适用于以下应用场景：
1. 开关电源（SMPS）：包括离线式适配器和充电器。
2. 电机驱动：用于控制各类直流电机的运行状态。
3. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、逆变器等。
4. 照明系统：尤其是需要高电压输入的LED驱动电路。
5. 电信设备：例如基站电源模块中的功率转换部分。
STF17N90K5
IRFP460
FDP18N90
