时间：2025/4/29 10:36:09
阅读：5
IRF7476TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道逻辑电平增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适合用于高效率、高频的应用场景。其封装形式为 SO-8，适用于表面贴装工艺，能够提供出色的热性能和电气性能。
这款 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC 转换器、负载开关等领域，凭借其低导通损耗和快速开关能力，成为众多设计中的理想选择。
型号：IRF7476TRPBF
类型：N 沟道 MOSFET
Vds（漏源极击穿电压）：30V
Rds(on)（导通电阻，典型值）：4.5mΩ
Id（连续漏极电流）：56A
Vgs(th)（栅极开启电压）：1.2V 至 2.4V
Qg（总栅极电荷）：15nC
fT（特征频率）：1.9MHz
封装：SO-8
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
IRF7476TRPBF 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流 Id（56A），可满足大电流应用的需求。
3. 快速开关能力，得益于较小的总栅极电荷 Qg 和较高的特征频率 fT。
4. 支持逻辑电平驱动，兼容标准的 CMOS 和 TTL 输出信号，简化了电路设计。
5. 小巧的 SO-8 封装，节省 PCB 空间并具备良好的散热性能。
6. 宽广的工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
IRF7476TRPBF 可广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关管。
2. DC-DC 转换器中的功率级开关。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 电机驱动器中的 H 桥或半桥配置。
5. 工业控制设备中的功率转换模块。
6. 消费类电子产品中的高效电源管理解决方案。
7. 通信设备中的动态负载调节和功率分配。
由于其优异的性能和可靠性，IRF7476TRPBF 成为许多高性能电力电子系统的关键元件。
IRF7476GTRPBF, IRF7476DPBF
