BS2S7HZ6306 是一款由ROHM(罗姆)半导体公司制造的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率MOSFET系列。该器件主要用于高效率的功率开关应用,例如电源管理、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等。BS2S7HZ6306采用P沟道结构,具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其封装形式为小型的SOP(Small Outline Package),适用于高密度PCB设计。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(Vds):-60V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):-4.7A
导通电阻(Rds(on)):0.235Ω(最大值,@Vgs = -10V)
功耗(Pd):1.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOP
BS2S7HZ6306的主要特性之一是其较低的导通电阻,这有助于在高电流条件下保持较低的功率损耗,从而提高系统的整体效率。此外,该MOSFET具备良好的热稳定性,能够在较高的温度环境下稳定工作。
另一个显著特点是其较高的栅极耐压能力(±20V),这使得器件在面对瞬态电压波动时具有更强的抗干扰能力,提高了系统的可靠性。此外,由于其采用SOP封装,体积小、重量轻,非常适合用于空间受限的便携式电子产品中。
BS2S7HZ6306还具有较快的开关速度,适用于高频开关应用。这得益于其较低的输入电容(Ciss)和较小的栅极电荷(Qg),从而减少了开关过程中的能量损耗,同时也有助于减小外部驱动电路的设计复杂度。
该MOSFET还具备良好的短路耐受能力,在异常工作条件下能够提供一定的保护作用,从而延长设备的使用寿命。
BS2S7HZ6306广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。例如,它可用于同步整流的DC-DC转换器中,作为高边或低边开关,以提高转换效率并减少发热。
在电源管理系统中,BS2S7HZ6306可作为负载开关,用于控制电池供电设备中的电源路径管理,实现快速关断和低静态功耗。此外,它也可用于马达驱动电路中,作为功率开关元件,控制马达的启停和方向。
由于其小型封装和优异的电气性能,BS2S7HZ6306也常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备的内部电源管理模块中。在工业自动化和控制系统中,该器件还可用于继电器替代、LED驱动和电源监控等应用场景。
Si4435BDY-T1-GE3, FDC6330L, IRML6401