时间：2025/5/12 12:47:16
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TF8N10是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够在高频应用中提供高效能表现。
TF8N10的设计使其在高电流和高压条件下具备优异的性能，同时保持较小的封装尺寸，方便电路设计和布局。
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏极电流：8A
最大脉冲漏极电流：32A
导通电阻（典型值）：0.065Ω
总功耗：125W
结温范围：-55℃至+150℃
1. TF8N10采用了先进的工艺技术，确保其具备低导通电阻，从而减少功率损耗并提升效率。
2. 该器件支持高速开关操作，能够有效降低开关损耗，适合高频应用场景。
3. 具备较强的抗雪崩能力，可应对异常情况下的过流或过压冲击。
4. 封装形式紧凑，通常采用TO-220或TO-252等形式，有助于节省PCB空间。
5. 热稳定性强，在高温环境下仍能保持可靠的工作状态。
1. 开关电源中的功率开关元件。
2. 用于电机驱动中的逆变桥路。
3. 在DC-DC转换器中作为同步整流器。
4. 电池保护电路中的电子开关。
5. 各类负载切换及保护电路中的关键组件。
IRF840
STP8NB100Z
FDP16N10
IXTH8N100
