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STF8N80K5 发布时间 时间:2025/12/24 4:46:13 查看 阅读:17

STF8N80K5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的MOSFET器件,属于STPOWER系列。该器件采用TO-247封装形式,具有高效率、低损耗的特性,适用于高频开关应用以及功率转换电路。其额定电压为800V,连续漏极电流可达8A,广泛用于电源适配器、电机驱动、工业逆变器等领域。

参数

最大漏源电压:800V
  连续漏极电流:8A
  栅极电荷:130nC
  导通电阻:2.9Ω
  输入电容:1550pF
  结温范围:-55℃至175℃

特性

STF8N80K5是一款垂直沟道高压MOSFET,采用了先进的制造工艺来优化性能。
  1. 高耐压能力:其800V的漏源电压使其能够在高电压环境下稳定运行,特别适合高压开关应用。
  2. 快速开关特性:较低的栅极电荷和输出电荷确保了更短的开关时间,从而提高了整体效率并减少了开关损耗。
  3. 良好的热性能:TO-247封装设计提供了优异的散热性能,使得该器件能够在较高的工作温度范围内可靠运行。
  4. 可靠性高:通过了严格的可靠性测试,具备较长的使用寿命,满足各种严苛工业环境的要求。
  5. 应用灵活性:适用于多种拓扑结构,例如降压转换器、升压转换器、反激式转换器等,能够适应不同的电路需求。

应用

STF8N80K5主要应用于需要高电压和快速开关特性的场景,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):
   - 适配器和充电器
   - 工业电源
  2. 电机驱动:
   - 交流感应电机控制
   - 步进电机驱动
  3. 电力转换设备:
   - 太阳能逆变器
   - 不间断电源(UPS)
  4. 照明系统:
   - LED驱动电路   - 可编程逻辑控制器(PLC)
   - 工业机器人驱动

替代型号

STF8N80E5, IRF840, STP8NC80

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STF8N80K5参数

  • 现有数量1,000现货
  • 价格1 : ¥21.31000管件
  • 系列SuperMESH5?
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)950 毫欧 @ 3A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)16.5 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)450 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)25W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包