7N60F 时间：2025/6/11 20:44:59 阅读：6

7N60F 是一款高性能的 N 沣道硅功率 MOSFET，采用 TO-252 封装形式。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于多种高频开关应用，例如开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等场景。
　　该器件在设计上注重效率与可靠性，通过优化的芯片结构实现更低的导通损耗和开关损耗，同时具备良好的抗雪崩能力，使其能够应对复杂的电路环境。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：7A
　　导通电阻：1.3Ω（典型值）
　　栅极电荷：25nC（典型值）
　　输入电容：840pF（典型值）
　　总功耗：20W
　　工作结温范围：-55℃至+150℃

特性

7N60F 的主要特性包括：
　　1. 高耐压能力，额定电压为 600V，适合高压应用场合。
　　2. 低导通电阻，典型值仅为 1.3Ω，有助于减少传导损耗。
　　3. 快速开关性能，栅极电荷低至 25nC，支持高频操作。
　　4. 优秀的雪崩能量承受能力，提升系统可靠性。
　　5. 小型封装 TO-252，节省 PCB 空间。
　　6. 宽温度范围支持，适应恶劣环境。

应用

7N60F 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
　　3. 电机驱动及控制电路。
　　4. 工业自动化设备中的电源管理。
　　5. LED 驱动器和其他需要高效功率转换的电子设备。
　　其高耐压和低损耗特点使其成为上述应用的理想选择。