时间：2025/8/4 18:23:06
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IRFS830B 是一款由 Infineon Technologies 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器和其它高功率电子系统中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了卓越的导通和开关性能，同时具备高耐用性和可靠性。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大漏极电流（Id）：20A（在 25°C 时）
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω（最大）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V 至 4V
最大功耗（Pd）：125W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220AB
IRFS830B 的设计使其在高电压和高电流应用中表现出色，具有以下主要特性：
首先，该器件的导通电阻非常低，确保了在高负载条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体系统效率。此外，IRFS830B 在开关过程中表现出良好的动态性能，降低了开关损耗并提高了响应速度。
其次，该 MOSFET 具有较高的耐用性和热稳定性，能够在高温环境下稳定工作。这得益于其优化的封装设计和内部结构，使其具备良好的散热性能。
此外，IRFS830B 还具有优异的雪崩能量承受能力，能够承受瞬时高压冲击而不损坏，提高了电路的可靠性。
最后，该器件适用于多种拓扑结构，如降压、升压、半桥和全桥转换器，使其在电源转换和电机控制等应用中具有很高的灵活性。
IRFS830B 主要用于中高功率电子设备中，如：
- 开关电源（SMPS）
- 直流-直流转换器
- 逆变器系统
- 电机控制电路
- 照明镇流器
- 电池充电器
在这些应用中，IRFS830B 可以作为主开关器件，提供高效的能量转换和稳定的性能。
IRF840B, IRFS840B, IRF830B
