时间：2025/12/28 19:22:55
阅读：63
3SMC100A TR13 是由东芝（Toshiba）生产的一款双通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列，适用于高效率、高密度的电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻（RDS(on)），从而减少导通损耗，提高整体系统效率。3SMC100A TR13采用SOP（小外形封装）封装形式，适用于表面贴装技术，便于自动化生产与高密度PCB布局。
类型：MOSFET 阵列（双N沟道）
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
导通电阻（RDS(on)）：1.3mΩ（最大）
功耗（PD）：120W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：SOP
3SMC100A TR13 MOSFET阵列具备多项优异特性，适合高性能电源管理应用。其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)），最大仅为1.3mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统效率。该器件采用双N沟道MOSFET结构，允许在一个封装内实现多个开关功能，节省PCB空间并简化电路设计。此外，该MOSFET支持高达100A的连续漏极电流，适用于高电流负载场景，如DC-DC转换器、电机驱动器和电池管理系统。其120W的总功耗能力确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。SOP封装设计支持表面贴装工艺，提高了生产效率和热管理性能。该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，具有良好的热稳定性和环境适应性，适用于工业和汽车电子等严苛应用环境。
3SMC100A TR13 主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机控制电路以及电池管理系统（BMS）。此外，该MOSFET阵列也广泛用于服务器电源、电信设备、电动车（EV）充电系统和工业自动化设备中。其高电流能力和低导通损耗特性使其成为高效率开关电源（SMPS）的理想选择。
SiR100N10DP-T1-GE3, IPB100N10S3-03, STD100N10F7AG
