LESD8LV5.0N3T5G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的低电容静电放电(ESD)保护二极管,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电和其他电压瞬变的损害。该器件采用小型表面贴装封装(SOD-882),适用于便携式电子设备和其他对空间要求严格的场合。
工作电压:5.0V
反向关态电压(VRWM):5.0V
钳位电压(VC):14.4V(最大值,测试条件为Ipp=2.8A)
峰值脉冲电流(Ipp):2.8A
电容值(C):1.5pF(典型值)
封装形式:SOD-882
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
LESD8LV5.0N3T5G具备极低的电容值,使其适用于高速数据线路的保护,如USB接口、HDMI接口和以太网端口等。该器件的快速响应时间能够有效抑制静电放电产生的瞬态高压,保护后级电路不受损害。此外,该器件具有较低的钳位电压,能够在ESD事件发生时将电压限制在安全范围内,从而提高系统的可靠性和稳定性。LESD8LV5.0N3T5G的SOD-882封装形式具有较小的体积,适合用于紧凑型电子设备设计。该器件符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护等级,提供高达±8kV接触放电和±15kV空气放电的保护能力。
LESD8LV5.0N3T5G还具有低漏电流特性,在正常工作条件下几乎不影响电路的正常运行。其单向保护结构能够有效吸收正向和负向的高能量静电脉冲,确保被保护设备的安全。该器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性,适合在各种恶劣环境下使用。
LESD8LV5.0N3T5G广泛应用于便携式消费电子产品(如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等)中的高速数据接口保护。该器件适用于保护USB 2.0、USB 3.0、HDMI、DisplayPort、以太网、音频/视频接口以及其他对静电敏感的高速信号线路。此外,该器件也常用于通信设备、工业控制系统、汽车电子模块以及医疗设备中的关键电路保护。由于其低电容和快速响应特性,LESD8LV5.0N3T5G特别适合需要保持信号完整性的高速数字接口应用。
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