时间：2025/5/27 9:07:28
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STF8N65M5是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的场景中。
STF8N65M5以其高击穿电压和低导通电阻为特点，能够在高频开关条件下提供卓越的性能表现。
漏源极击穿电压：650V
连续漏极电流：8A
导通电阻（Rds(on)）：400mΩ（最大值，典型值为300mΩ，测试条件为Vgs=10V）
栅极电荷：28nC（最大值）
输入电容：1170pF
总功耗：15W
工作温度范围：-55℃至+150℃
STF8N65M5是一款专为高效功率转换设计的MOSFET。其主要特性包括：
1. 高击穿电压（650V），适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（典型值为300mΩ），能够降低导通损耗并提升效率。
3. 快速开关能力，得益于较低的栅极电荷和输出电荷，有助于减少开关损耗。
4. 热稳定性强，支持高达150℃的工作温度范围。
5. 采用标准TO-220封装，便于安装和散热管理。
STF8N65M5广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动电路
4. 太阳能逆变器
5. 工业控制设备中的功率管理模块
6. 电池充电器和其他电力电子系统
