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STF8N65M5 发布时间 时间:2025/5/27 9:07:28 查看 阅读:20

STF8N65M5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的场景中。
  STF8N65M5以其高击穿电压和低导通电阻为特点,能够在高频开关条件下提供卓越的性能表现。

参数

漏源极击穿电压:650V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻(Rds(on)):400mΩ(最大值,典型值为300mΩ,测试条件为Vgs=10V)
  栅极电荷:28nC(最大值)
  输入电容:1170pF
  总功耗:15W
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

STF8N65M5是一款专为高效功率转换设计的MOSFET。其主要特性包括:
  1. 高击穿电压(650V),适用于多种高压应用场景。
  2. 低导通电阻(典型值为300mΩ),能够降低导通损耗并提升效率。
  3. 快速开关能力,得益于较低的栅极电荷和输出电荷,有助于减少开关损耗。
  4. 热稳定性强,支持高达150℃的工作温度范围。
  5. 采用标准TO-220封装,便于安装和散热管理。

应用

STF8N65M5广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机驱动电路
  4. 太阳能逆变器
  5. 工业控制设备中的功率管理模块
  6. 电池充电器和其他电力电子系统

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STF8N65M5参数

  • 其它有关文件STF8N65M5 View All Specifications
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 3.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs15nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds690pF @ 100V
  • 功率 - 最大25W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-11398-5STF8N65M5-ND