STF8N65M5是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高效能功率转换的场景中。
STF8N65M5以其高击穿电压和低导通电阻为特点,能够在高频开关条件下提供卓越的性能表现。
漏源极击穿电压:650V
连续漏极电流:8A
导通电阻(Rds(on)):400mΩ(最大值,典型值为300mΩ,测试条件为Vgs=10V)
栅极电荷:28nC(最大值)
输入电容:1170pF
总功耗:15W
工作温度范围:-55℃至+150℃
STF8N65M5是一款专为高效功率转换设计的MOSFET。其主要特性包括:
1. 高击穿电压(650V),适用于多种高压应用场景。
2. 低导通电阻(典型值为300mΩ),能够降低导通损耗并提升效率。
3. 快速开关能力,得益于较低的栅极电荷和输出电荷,有助于减少开关损耗。
4. 热稳定性强,支持高达150℃的工作温度范围。
5. 采用标准TO-220封装,便于安装和散热管理。
STF8N65M5广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动电路
4. 太阳能逆变器
5. 工业控制设备中的功率管理模块
6. 电池充电器和其他电力电子系统