时间：2025/5/19 13:52:51
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SI7203-B-00-FV 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用微型 QFN 封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其主要特点是具有极低的导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关能力，适合用于电源管理、负载开关、电机驱动以及电池供电设备中。
由于其优化的性能参数，这款 MOSFET 特别适用于便携式电子产品、通信设备和消费类电子产品的设计。此外，它还具有出色的热性能和电气稳定性，使其在紧凑型设计中表现优异。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：QFN 3x3mm
最大漏源电压(Vdss)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：16A
导通电阻(Rds(on))：2.8mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
总栅极电荷(Qg)：24nC (典型值)
输入电容(Ciss)：1950pF (典型值)
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
SI7203-B-00-FV 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，能够有效减少开关损耗。
3. 微型 QFN 封装，节省 PCB 空间，特别适合紧凑型设计。
4. 支漏极电流，适用于高功率应用。
5. 高度稳定的电气性能和耐热性，确保在极端条件下的可靠运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设备中。
这些特性使得 SI7203-B-00-FV 成为高效电源管理和负载切换的理想选择。
该 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. DC-DC 转换器和降压/升压电路中的功率开关。
2. 笔记本电脑、平板电脑及其他便携式设备中的负载开关。
3. 电池管理系统 (BMS)，用于保护锂离子电池免受过流和短路的影响。
4. 电机驱动和控制电路，例如无刷直流电机 (BLDC) 驱动。
5. 通信设备中的功率级调节。
6. 工业自动化和家用电器中的功率转换模块。
凭借其高性能和小尺寸，SI7203-B-00-FV 在众多应用中表现出色。
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