电容值：1200 pF（122）
　　容差：±5%（J）
　　电压额定值：50V
　　介质材料：NP0（C0G）
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　温度系数：0 ppm/°C ±30 ppm/°C
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　损耗角正切（tanδ）：≤0.15%
　　绝缘电阻：≥10,000 MΩ

RC885NP-122K陶瓷电容器采用了NP0（C0G）介质材料，这使其在各种温度和电压条件下都具有出色的电容稳定性。与X7R或Y5V等其他类型的陶瓷电容器相比，NP0材料的温度系数几乎为零，因此非常适合用于需要高精度和稳定性的应用场景。此外，该电容器具有低损耗特性，使其在高频电路中表现优异，不会引入显著的信号衰减或失真。
　　其表面贴装封装设计便于自动化生产和高密度电路板布局，同时确保了良好的机械强度和热稳定性。该器件的工作温度范围宽，能够在-55°C至+125°C之间稳定工作，适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。RC885NP-122K还具有优异的长期稳定性，电容值在使用过程中几乎不会发生漂移，减少了因元件老化而带来的维护需求。
　　由于其出色的电气性能和可靠性，RC885NP-122K被广泛用于高精度滤波器、振荡器、射频调谐电路、定时电路、医疗设备、工业控制系统以及测试与测量仪器等高端应用场合。

RC885NP-122K陶瓷电容器主要应用于对电容稳定性要求极高的电子电路中。其高精度和低损耗特性使其成为射频（RF）和微波电路的理想选择，常用于通信设备中的滤波、耦合和旁路应用。此外，它还广泛用于高精度振荡器、时钟发生器和频率合成器中，以确保频率的稳定性。在模拟电路中，该电容器可用于精密放大器、滤波器和积分器，有助于提高系统的整体性能。
　　在工业和医疗设备中，RC885NP-122K也被用于电源去耦、噪声抑制和信号处理等关键环节。由于其宽工作温度范围和高可靠性，该电容器也适用于航空航天、汽车电子和军事电子等对环境适应性和长期稳定性有严格要求的应用场景。

AVX RC885NP122K