时间：2025/7/23 1:41:05
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BZT03C7V5 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的齐纳二极管（Zener Diode），其标称齐纳电压为7.5V。该器件主要用于电压调节、参考电压源以及过压保护电路中。BZT03C 系列采用 SOD123 封装，具有良好的稳定性和可靠性，适用于各种工业控制、消费电子和通信设备。
类型：齐纳二极管
标称齐纳电压：7.5V
容差：±5%
最大齐纳电流：200mA
最大耗散功率：300mW
工作温度范围：-65°C 至 +150°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装形式：SOD123
引脚数：2
BZT03C7V5 具有高稳定性和低温度系数，能够在宽温度范围内提供精确的参考电压。该器件的动态阻抗较低，有助于在负载变化时保持输出电压的稳定性。此外，其紧凑的 SOD123 封装形式适合在空间受限的电路板上使用，广泛应用于电压调节、基准电压源和保护电路中。
BZT03C7V5 的齐纳电压容差为 ±5%，确保了在多种应用中能够提供较为精确的电压参考。其最大耗散功率为 300mW，允许在较高功率条件下工作，适用于多种低功耗和中等功率应用场景。该器件的封装设计也具有良好的热性能，有助于在高电流负载下保持稳定工作。
该齐纳二极管的反向漏电流较小，能够在非导通状态下减少对电路的影响。此外，BZT03C7V5 还具备良好的抗静电能力，适用于需要较高可靠性的工业环境。
BZT03C7V5 主要用于以下应用场景：电压调节电路中作为基准电压源；在过压保护电路中用于钳位电压；在模拟和数字电路中作为参考电压源；在电源管理模块中提供稳定的参考电压；在测量和控制系统中用于校准和信号处理。该器件广泛应用于工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域。
BZT03C7V5 可以使用 BZT03C7V5E6327、BZT03C7V5HT1G、BZX84C7V5 等型号进行替代。
