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STF42N65M5 发布时间 时间:2025/7/23 8:37:12 查看 阅读:6

STF42N65M5是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的N沟道功率MOSFET。该器件适用于高功率应用,具有低导通电阻、高效率和优异的热性能。STF42N65M5采用先进的技术,提供了更高的功率密度和可靠性,使其成为电源转换和电机控制等应用的理想选择。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):650V
  连续漏极电流(Id):42A
  导通电阻(Rds(on)):最大值0.028Ω
  封装类型:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C
  栅极电荷(Qg):120nC
  输入电容(Ciss):1500pF

特性

STF42N65M5的主要特性之一是其低导通电阻,这有助于减少导通损耗并提高整体系统效率。在高电流和高电压条件下,这种低Rds(on)性能尤为显著。
  此外,该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,能够在极端条件下保持稳定运行。这种特性对于防止电压尖峰和瞬态过压损坏至关重要。
  器件的封装设计(TO-247)提供了良好的散热性能,确保在高功率负载下保持较低的结温,从而提高器件的可靠性和寿命。
  STF42N65M5还具有快速开关特性,能够有效减少开关损耗,这对于高频开关应用尤为重要。栅极电荷(Qg)较低,使得驱动电路更容易控制,并减少驱动损耗。
  该器件的输入电容(Ciss)适中,能够平衡高频响应与驱动要求之间的关系。这使得STF42N65M5在各种功率转换应用中表现出色,如DC-DC转换器、AC-DC电源和电机驱动器等。
  另外,STF42N65M5具有良好的热稳定性,即使在高环境温度下也能保持稳定的工作状态。这种热稳定性来源于先进的芯片设计和封装技术,确保了器件在恶劣工作条件下的可靠性。

应用

STF42N65M5广泛应用于多种高功率电子系统。在电源管理领域,它常用于高效电源适配器、服务器电源和工业电源系统。其低导通电阻和快速开关特性使其成为高效DC-DC转换器的理想选择。
  在电机控制应用中,STF42N65M5用于电机驱动器和逆变器系统。其高电流处理能力和高击穿电压能力确保了电机在不同负载条件下的稳定运行。
  此外,该器件在太阳能逆变器和储能系统中也具有重要应用。太阳能逆变器需要高效率和高可靠性的功率开关器件,而STF42N65M5的特性正好满足这一需求。
  STF42N65M5还可用于UPS(不间断电源)系统和电池管理系统中。在这些应用中,器件的高可靠性和高效率对于确保系统稳定性和延长电池寿命至关重要。
  该MOSFET还可用于高频电源变换器和LED照明驱动电路,提供高效的能量转换和稳定的输出性能。

替代型号

IPW60R028C7, FQA40N60, TK41F60W

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STF42N65M5参数

  • 其它有关文件STF42N65M5 View All Specifications
  • 产品培训模块5th Generation High Voltage Mosfet Technology
  • 特色产品MDmesh V Series Mosfets
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列MDmesh™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)650V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C33A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C79 毫欧 @ 16.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs100nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4650pF @ 100V
  • 功率 - 最大40W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3 整包
  • 供应商设备封装TO-220FP
  • 包装管件
  • 其它名称497-8895-5