型号：WS-DM256-I
　　制造商：Winbond
　　类型：串行NOR Flash
　　容量：256 Mbit (32MB)
　　接口类型：SPI, QPI
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　时钟频率：最高支持104MHz（Quad SPI模式）
　　封装形式：WSON8 (8-pin WSON)
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　写使能延迟（tWD）：典型值3ms
　　扇区大小：4KB
　　块大小：64KB
　　编程时间（典型）：0.7ms/页
　　擦除时间（典型）：400ms/扇区
　　待机电流：≤1μA
　　快速读取支持：是
　　支持双/四线I/O：是
　　支持QPI模式：是
　　JEDEC标准标识：兼容
　　可靠性：10万次编程/擦除周期
　　数据保持：10年 @ 85°C

WS-DM256-I 具备多项先进特性，使其在嵌入式存储应用中表现出色。首先，它支持多种SPI操作模式，包括标准SPI、Dual SPI、Quad SPI 和 QPI 模式。在Quad SPI模式下，数据传输速率显著提升，能够满足高速启动和实时数据访问的需求，尤其适用于需要XIP（eXecute In Place）的应用场景，例如微控制器直接从Flash中执行代码而无需加载到RAM中，从而节省系统资源并加快启动速度。其内置的连续读取模式支持任意地址对齐，简化了主控处理器的访问逻辑。
　　该器件集成了丰富的控制指令集，包括写使能、写禁止、读状态寄存器、写状态寄存器、页编程、扇区擦除、芯片擦除、上电复位（Power-on Reset）等功能。其中，状态寄存器提供多个标志位，用于指示当前器件是否处于忙状态、写保护配置情况以及是否启用QPI模式等信息。用户可通过软件灵活配置这些寄存器以实现精细的访问控制。
　　为了增强系统稳定性与数据安全性，WS-DM256-I 提供了多层次的写保护机制。除了全局和局部软件写保护外，还支持通过OTP（One-Time Programmable）熔丝锁定部分存储区域，防止后续修改。此外，芯片内置Vpp检测电路，确保在电压不稳定时禁止写入操作，避免因电源波动导致的数据损坏。所有操作均符合工业级环境要求，在-40°C至+85°C范围内稳定运行，具备良好的抗干扰能力和长期数据保持性能。

WS-DM256-I 广泛应用于各类对存储容量、速度和可靠性有较高要求的电子系统中。在物联网（IoT）设备中，常用于存储传感器固件、通信协议栈和设备配置信息；在智能家居产品如智能音箱、Wi-Fi路由器、摄像头模块中，用于存放操作系统镜像和用户界面资源。在工业自动化领域，该芯片被用作PLC控制器、HMI人机界面和远程I/O模块的程序存储器，支持长时间连续运行和频繁固件升级需求。
　　在消费类电子产品中，如智能手表、电子书阅读器、便携式医疗设备等，WS-DM256-I 凭借其小尺寸封装和低功耗特性，成为理想的代码存储解决方案。在网络通信设备如交换机、光猫、基站模块中，该芯片承担着引导加载程序（Bootloader）和网络协议固件的存储任务，确保设备快速启动和稳定运行。
　　此外，在汽车电子辅助系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）、行车记录仪、ADAS传感器模块等，WS-DM256-I 也被广泛采用，满足车规级环境下的可靠性要求。其支持的XIP功能使得MCU可以直接执行存储在Flash中的代码，减少对外部RAM的依赖，降低整体系统成本。同时，其支持的安全写保护机制有助于防范恶意固件刷写，提升车载系统的安全性。

W25Q256JV
　　S25FL256S
　　MX25L25645E