PJP5NA80 时间：2025/8/15 13:59:30 阅读：23

PJP5NA80 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率电源转换应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关等。其高击穿电压、低导通电阻和优异的热性能使其成为工业和汽车电子应用中的理想选择。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：800 V
　　最大漏极电流 Id（连续）：5 A
　　导通电阻 Rds(on)：1.2 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极阈值电压 Vgs(th)：2.0 ~ 4.0 V
　　最大功耗 Pd：50 W
　　封装：TO-220
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

PJP5NA80 具备多项优异的电气和热性能，适合高电压和中高功率的应用需求。
　　首先，其最大漏源电压（Vds）高达 800 V，能够承受高电压应力，适用于高压开关电路。该器件的导通电阻（Rds(on)）为 1.2 Ω，在 Vgs = 10 V 的驱动条件下可实现较低的导通损耗，有助于提高整体能效。
　　其次，PJP5NA80 的最大连续漏极电流为 5 A，能够在中等电流负载下稳定工作，适用于如电源适配器、电池充电器、DC-AC 逆变器等应用。
　　此外，该 MOSFET 采用 TO-220 封装，具有良好的散热能力，适合在高温环境下运行。其最大功耗为 50 W，能够承受较高的热负荷。
　　在控制方面，PJP5NA80 的栅极阈值电压范围为 2.0 ~ 4.0 V，与常见的 PWM 控制器兼容，便于设计和集成到多种电路拓扑中。
　　最后，该器件具有高雪崩耐受能力和出色的短路稳定性，增强了系统在异常工况下的可靠性。

应用

PJP5NA80 主要用于需要高电压和中等功率处理能力的电源和控制电路中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、照明控制、UPS（不间断电源）、逆变器以及工业自动化设备中的负载开关等。
　　在 SMPS 应用中，PJP5NA80 可用于构建反激式或正激式拓扑，实现高效的能量转换。
　　在电机控制领域，该器件可以作为 H 桥结构中的开关元件，用于调节电机速度和方向。
　　此外，PJP5NA80 还适用于各种工业和消费类电子设备中的电源管理模块，提供稳定可靠的功率控制能力。