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IRL3103D1STRR 发布时间 时间:2025/6/16 19:42:01 查看 阅读:40

IRL3103D1STRR是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了Trench技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。它通常被用于需要高效能和高频工作的电路中,如电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
  这款MOSFET的封装形式为TO-Leadless(TOLL),这是一种无引脚封装技术,有助于减少寄生电感并提高散热能力。同时,该封装符合RoHS标准,适合现代环保设计要求。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:27A
  导通电阻(典型值):1.8mΩ
  栅极电荷:36nC
  开关时间:典型开通时间5ns,典型关断时间15ns
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRL3103D1STRR的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够有效降低功耗和提升效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源和逆变器等场景。
  3. 高电流承载能力,满足大功率应用需求。
  4. 热稳定性好,能在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
  5. 小型化的TOLL封装,节省PCB空间并优化散热路径。
  6. 符合汽车级AEC-Q101认证,适用于严苛环境下的工业及汽车电子应用。

应用

IRL3103D1STRR广泛应用于以下领域:
  1. 电动汽车和混合动力汽车中的牵引逆变器。
  2. DC-DC转换器,包括升压、降压和反激式拓扑结构。
  3. 电池管理系统中的开关元件。
  4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
  5. 高效电源适配器和充电器。
  6. 各种负载开关和保护电路设计。

替代型号

IRL3103TRPBF, IRL3103D1TRPBF

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IRL3103D1STRR参数

  • 标准包装800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FETKY™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C64A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 34A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs43nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装带卷 (TR)