IRL3103D1STRR是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用了Trench技术制造,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等特点。它通常被用于需要高效能和高频工作的电路中,如电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
这款MOSFET的封装形式为TO-Leadless(TOLL),这是一种无引脚封装技术,有助于减少寄生电感并提高散热能力。同时,该封装符合RoHS标准,适合现代环保设计要求。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:27A
导通电阻(典型值):1.8mΩ
栅极电荷:36nC
开关时间:典型开通时间5ns,典型关断时间15ns
工作结温范围:-55℃至175℃
IRL3103D1STRR的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够有效降低功耗和提升效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于开关电源和逆变器等场景。
3. 高电流承载能力,满足大功率应用需求。
4. 热稳定性好,能在较宽的工作温度范围内保持性能稳定。
5. 小型化的TOLL封装,节省PCB空间并优化散热路径。
6. 符合汽车级AEC-Q101认证,适用于严苛环境下的工业及汽车电子应用。
IRL3103D1STRR广泛应用于以下领域:
1. 电动汽车和混合动力汽车中的牵引逆变器。
2. DC-DC转换器,包括升压、降压和反激式拓扑结构。
3. 电池管理系统中的开关元件。
4. 工业自动化设备中的电机驱动电路。
5. 高效电源适配器和充电器。
6. 各种负载开关和保护电路设计。
IRL3103TRPBF, IRL3103D1TRPBF