STF3LN80K5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,适用于多种功率转换和电机驱动应用。这款MOSFET以其低导通电阻和高开关速度为特点,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
STF3LN80K5主要针对需要高效能、高可靠性的工业和消费类电子设备设计。其额定电压为800V,适合高压工作环境下的开关操作。
最大漏源电压:800V
最大栅源电压:±20V
最大连续漏电流:3A
导通电阻(典型值):1.6Ω
总功耗:14W
工作结温范围:-55℃至+175℃
STF3LN80K5具有以下显著特性:
1. 高击穿电压:800V,确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻:在特定条件下仅为1.6Ω,有助于降低导通损耗。
3. 快速开关性能:优化了开关时间,从而减少了开关损耗。
4. 强大的热稳定性:能够在高达175℃的结温下工作,适应高温应用场景。
5. 高可靠性:通过了多项严格的电气和机械测试,确保长期使用中的稳定性。
6. 符合RoHS标准:环保且满足国际法规要求。
STF3LN80K5广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器等。
2. 电机驱动:如家用电器中的电机控制。
3. 荧光灯和HID灯镇流器:用于照明系统的高效驱动。
4. 逆变器和UPS系统:提供可靠的电力备份解决方案。
5. 工业自动化设备:例如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器。
STF3N80KM5
STP3NB80Z
IRF840