时间：2025/5/29 1:29:43
阅读：19
STF3LN80K5是由意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装，适用于多种功率转换和电机驱动应用。这款MOSFET以其低导通电阻和高开关速度为特点，能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
STF3LN80K5主要针对需要高效能、高可靠性的工业和消费类电子设备设计。其额定电压为800V，适合高压工作环境下的开关操作。
最大漏源电压：800V
最大栅源电压：±20V
最大连续漏电流：3A
导通电阻（典型值）：1.6Ω
总功耗：14W
工作结温范围：-55℃至+175℃
STF3LN80K5具有以下显著特性：
1. 高击穿电压：800V，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻：在特定条件下仅为1.6Ω，有助于降低导通损耗。
3. 快速开关性能：优化了开关时间，从而减少了开关损耗。
4. 强大的热稳定性：能够在高达175℃的结温下工作，适应高温应用场景。
5. 高可靠性：通过了多项严格的电气和机械测试，确保长期使用中的稳定性。
6. 符合RoHS标准：环保且满足国际法规要求。
STF3LN80K5广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）：包括适配器、充电器等。
2. 电机驱动：如家用电器中的电机控制。
3. 荧光灯和HID灯镇流器：用于照明系统的高效驱动。
4. 逆变器和UPS系统：提供可靠的电力备份解决方案。
5. 工业自动化设备：例如可编程逻辑控制器（PLC）和伺服驱动器。
STF3N80KM5
STP3NB80Z
IRF840
