您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > STF3LN80K5

STF3LN80K5 发布时间 时间:2025/5/29 1:29:43 查看 阅读:10

STF3LN80K5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220封装,适用于多种功率转换和电机驱动应用。这款MOSFET以其低导通电阻和高开关速度为特点,能够有效减少功率损耗并提高系统效率。
  STF3LN80K5主要针对需要高效能、高可靠性的工业和消费类电子设备设计。其额定电压为800V,适合高压工作环境下的开关操作。

参数

最大漏源电压:800V
  最大栅源电压:±20V
  最大连续漏电流:3A
  导通电阻(典型值):1.6Ω
  总功耗:14W
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

STF3LN80K5具有以下显著特性:
  1. 高击穿电压:800V,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 极低的导通电阻:在特定条件下仅为1.6Ω,有助于降低导通损耗。
  3. 快速开关性能:优化了开关时间,从而减少了开关损耗。
  4. 强大的热稳定性:能够在高达175℃的结温下工作,适应高温应用场景。
  5. 高可靠性:通过了多项严格的电气和机械测试,确保长期使用中的稳定性。
  6. 符合RoHS标准:环保且满足国际法规要求。

应用

STF3LN80K5广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器等。
  2. 电机驱动:如家用电器中的电机控制。
  3. 荧光灯和HID灯镇流器:用于照明系统的高效驱动。
  4. 逆变器和UPS系统:提供可靠的电力备份解决方案。
  5. 工业自动化设备:例如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器。

替代型号

STF3N80KM5
  STP3NB80Z
  IRF840

STF3LN80K5推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

STF3LN80K5参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥12.72000管件
  • 系列MDmesh? K5
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)800 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)2A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)3.25 欧姆 @ 1A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.63 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)102 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)20W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220FP
  • 封装/外壳TO-220-3 整包