FW231-TL-E 时间：2025/9/20 14:09:12 阅读：10

FW231-TL-E是一款由ON Semiconductor（安森美）生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SOD-123FL小型封装，专为高效率、低功耗应用设计。该器件利用肖特基势垒技术，实现了较低的正向导通电压和快速的反向恢复时间，适用于高频开关电源、DC-DC转换器、续流与箝位电路等场景。FW231-TL-E具有良好的热稳定性和可靠性，适合在紧凑型电子产品中使用，如智能手机、便携式设备、电源适配器及工业控制模块。其小尺寸封装有助于节省PCB空间，同时支持自动化贴片生产，提升制造效率。该二极管符合RoHS环保标准，并通过了无卤素认证，满足现代电子产品的环保要求。

参数

类型：肖特基势垒二极管
　　极性：单路
　　封装/外壳：SOD-123FL
　　安装类型：表面贴装
　　最大重复反向电压（VRRM）：20V
　　最大直流正向电流（IF）：2A
　　峰值正向浪涌电流（IFSM）：50A（8.3ms半正弦波）
　　最大正向电压（VF）：450mV @ 1A（典型值），600mV @ 1A（最大值）
　　最大反向漏电流（IR）：0.1μA @ 20V（25°C），100μA @ 20V（125°C）
　　反向恢复时间（trr）：< 5ns
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到环境（RθJA）：250°C/W
　　功率耗散（PD）：330mW

特性

FW231-TL-E的核心优势在于其采用的肖特基势垒结构，这种结构利用金属-半导体接触形成势垒，显著降低了传统PN结二极管的正向压降。在1A电流下，其典型正向压降仅为450mV，最高不超过600mV，这意味着在导通状态下能量损耗极低，有助于提高系统整体能效，特别适用于对功耗敏感的应用，如电池供电设备和高效电源管理电路。
　　该器件具备极快的开关速度，反向恢复时间小于5纳秒，几乎不存在存储电荷效应，因此在高频开关环境下表现优异，能够有效减少开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性使其成为DC-DC转换器、同步整流辅助二极管以及高频逆变电路中的理想选择。
　　SOD-123FL封装是FW231-TL-E的重要亮点之一，其外形尺寸仅为2.0mm x 1.3mm x 1.1mm，体积小巧，适合高密度PCB布局。该封装还优化了散热路径，提升了热性能，确保在有限空间内仍能维持可靠运行。此外，器件经过严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、温度循环和高湿存储等，保证在严苛环境下的长期稳定性。
　　FW231-TL-E的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在极端温度条件下稳定工作，适用于工业级和汽车级应用场景。其低漏电流特性在高温下依然保持良好，125°C时最大反向漏电流为100μA，在同类产品中表现出色，有助于降低待机功耗。综合来看，FW231-TL-E凭借低VF、快速响应、小尺寸和高可靠性，成为现代电源系统中不可或缺的基础元件。

应用

FW231-TL-E广泛应用于多种电源相关电路中，尤其适合需要高效率和小型化的电子设备。其主要应用领域包括便携式消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的DC-DC升压或降压转换器，用于实现高效的能量转换和电池续航优化。
　　在电源适配器和充电器中，FW231-TL-E常被用作次级侧整流二极管或续流二极管，利用其低正向压降减少发热，提升转换效率。它也适用于LED驱动电源、USB供电模块和无线充电发射端电路，满足高密度集成的设计需求。
　　工业控制和通信设备中，该器件可用于电源轨保护、反向电压隔离和瞬态电压抑制电路。由于其快速响应能力，FW231-TL-E还可作为高频开关电源中的箝位二极管，防止电感反冲电压损坏主控芯片。
　　此外，在汽车电子系统中，如车载信息娱乐设备、传感器电源管理和车身控制模块，FW231-TL-E因其宽温度范围和高可靠性而受到青睐。其符合AEC-Q101应力测试标准的可能性使其具备进入汽车供应链的潜力（需确认具体批次是否通过认证）。总体而言，凡是对空间、效率和响应速度有要求的低压大电流整流场合，FW231-TL-E均是一个优选方案。