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UMK212SD682JD-T 发布时间 时间:2025/6/19 16:26:12 查看 阅读:2

UMK212SD682JD-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、开关电源和电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
  这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,其设计旨在支持大电流负载,并在高频工作条件下保持出色的性能表现。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:130A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:75nC
  开关速度:15ns
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体系统效率。
  2. 高速开关能力,适用于高频应用环境。
  3. 耐热性良好,能在极端温度范围内稳定运行。
  4. 内置过温保护功能,确保在异常情况下的安全性。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局及散热处理。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)的核心组件。
  3. 各类电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机等。
  4. 充电器和适配器中的功率控制单元。
  5. 工业自动化设备中的功率调节模块。

替代型号

UMK212SD682JD-R, IRFZ44N, FDP5570N

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UMK212SD682JD-T参数

  • 标准包装4,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CFCAP™
  • 电容6800pF
  • 电压 - 额定50V
  • 容差±5%
  • 温度系数-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0805(2012 公制)
  • 尺寸/尺寸0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.037"(0.95mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低失真
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-
  • 其它名称587-1109-2CF UMK212 SD682JD-T