UMK212SD682JD-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、开关电源和电机驱动等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统的效率并降低能耗。
这款MOSFET属于N沟道增强型场效应晶体管,其设计旨在支持大电流负载,并在高频工作条件下保持出色的性能表现。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:130A
导通电阻:1.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关速度:15ns
工作温度范围:-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,提升整体系统效率。
2. 高速开关能力,适用于高频应用环境。
3. 耐热性良好,能在极端温度范围内稳定运行。
4. 内置过温保护功能,确保在异常情况下的安全性。
5. 小型化封装设计,便于PCB布局及散热处理。
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)的核心组件。
3. 各类电机驱动电路,如步进电机、无刷直流电机等。
4. 充电器和适配器中的功率控制单元。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
UMK212SD682JD-R, IRFZ44N, FDP5570N