晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23
　　频率特性：250 MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流变化）

S-LBAT54HT1G 晶体管具有多项显著的性能特点，首先是其高频响应能力，能够支持高达 250 MHz 的工作频率，使其非常适合用于射频（RF）和高速开关应用。该晶体管的电流增益（hFE）范围较广，从 110 到 800，这取决于集电极电流的大小，为设计人员提供了灵活性。
　　该器件采用 SOT-23 小型表面贴装封装，便于在空间受限的 PCB 设计中使用。S-LBAT54HT1G 的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，这使得它能够在中等功率应用中稳定工作。此外，其最大功耗为 300 mW，确保了在正常工作条件下不会因过热而失效。
　　该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，在各种环境条件下都能保持稳定的性能。ON Semiconductor 的制造工艺确保了 S-LBAT54HT1G 在高温和高湿环境下仍能正常工作。同时，该器件的低饱和电压（Vce_sat）特性有助于降低功耗并提高效率，适用于电池供电设备和节能型电子产品。
　　由于其优异的开关特性和高频响应，S-LBAT54HT1G 非常适合用于数字电路中的开关元件，如逻辑门电路、驱动器电路和脉冲放大器。此外，它也可以用于模拟电路中的低噪声放大器和射频信号处理模块。

S-LBAT54HT1G 主要用于需要高频响应和快速开关的电子电路中。其典型应用包括射频放大器、高速开关电路、功率调节器、数字逻辑电路、脉冲宽度调制（PWM）控制器、传感器接口电路以及便携式电子设备中的信号处理模块。
　　在射频电路中，S-LBAT54HT1G 可用于构建低噪声放大器（LNA），用于增强微弱信号。在开关电路中，该晶体管可以作为数字信号的控制开关，适用于微控制器的输出驱动电路。此外，它还可以用于构建逆变器、继电器驱动器和 LED 驱动电路。
　　在工业自动化和控制系统中，S-LBAT54HT1G 可用于构建传感器接口电路，将模拟信号转换为数字信号进行处理。该晶体管的高频特性也使其成为通信设备中调制解调器、射频识别（RFID）系统和无线数据传输模块的理想选择。
　　此外，S-LBAT54HT1G 还可以用于构建音频放大器、前置放大器以及低功率音频信号处理电路。由于其紧凑的封装形式，该晶体管特别适合用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网（IoT）设备。

2N3904, BC547, MMBT54H