时间：2025/8/5 1:22:37
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STF203.TCT 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(on)）和高电流承载能力，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等场景。STF203.TCT 通常采用TO-220AB或类似的功率封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合工业级和消费类电子产品的应用需求。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：50A
导通电阻（RDS(on)）：≤4.5mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220AB
STF203.TCT 功率MOSFET采用了先进的沟槽技术，具备非常低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度的设计，如服务器电源、电信设备和工业控制系统。此外，STF203.TCT 的栅极驱动电压范围较宽（通常为+10V至+20V），允许灵活的驱动电路设计，同时具备良好的抗雪崩能力和过载保护特性。
在热管理方面，TO-220AB封装提供了良好的散热性能，确保在高功率操作下保持稳定的热阻特性。该器件还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。此外，STF203.TCT 的短路耐受能力较强，能够在极端条件下提供一定程度的保护，防止器件损坏。
从应用角度看，STF203.TCT 非常适合用于同步整流、负载开关、DC-DC降压/升压转换器以及电机控制等场景。其优异的电气和热性能使其成为高性能电源设计中的理想选择，尤其适用于需要高可靠性和高效率的工业和消费类电子产品。
STF203.TCT 常见于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路、服务器电源、电信设备电源、工业自动化控制系统等高功率电子设备中。其低导通电阻和高电流能力使其特别适用于需要高效能和紧凑设计的电源管理应用。
STP55NF03L, IRF3710, FDP3632, FQP50N06
