时间：2025/8/14 8:30:59
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PJMD990N65EC_L2_00001是一款高性能的功率MOSFET，通常用于高效率电源转换系统，例如DC-DC转换器、电池管理系统和电机驱动器。这款器件基于先进的沟槽式MOSFET技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），以减少导通损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备出色的热稳定性和过载能力，适合在严苛的工业和汽车应用环境中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（Id）：90A
漏极-源极击穿电压（Vds）：650V
栅极-源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约0.027Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-247
PJMD990N65EC_L2_00001功率MOSFET采用了先进的沟槽式技术，使其在同类产品中脱颖而出。首先，其极低的Rds(on)显著降低了导通损耗，从而提高了能效。在高电流和高温条件下，该MOSFET依然能够保持稳定的工作状态，这得益于其卓越的热管理能力。此外，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，能够承受短时过载和瞬态电压冲击，从而提高了系统的可靠性。该MOSFET的封装设计优化了散热性能，使得热量能够迅速散发，进一步提升了其在高功率应用中的稳定性。最后，其宽泛的工作温度范围(-55°C至175°C)使其适用于极端环境条件下的工业、汽车和电源管理系统。
PJMD990N65EC_L2_00001广泛应用于各种高功率电子系统，例如高效电源转换器（如AC-DC和DC-DC转换器）、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动车充电系统、电机驱动器和电池管理系统（BMS）。此外，该MOSFET也适用于工业自动化设备、智能电网系统以及高功率LED照明驱动电路。其出色的性能和可靠性使其成为现代电力电子设备中的关键组件。
STF90N65M5, FDPF90N65AS
