时间：2025/8/5 13:27:08
阅读：19
IXXA30N65C3HV是一款由英飞凌（Infineon）制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高电压和高电流的应用，具有较高的效率和可靠性。IXXA30N65C3HV采用了先进的技术，以提供优异的导通和开关性能，适用于各种电力电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：650V
连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.125Ω
栅极电荷（Qg）：典型值为73nC
封装类型：TO-247
IXXA30N65C3HV具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，该器件具有较低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。其次，其高电流容量和耐压能力使其适用于高功率密度的设计。此外，IXXA30N65C3HV采用了先进的封装技术，提高了热管理和可靠性，能够在较高温度下稳定工作。该器件还具有较低的栅极电荷，有助于减少开关损耗，从而提高整体性能。最后，其高耐用性和抗干扰能力确保了在严苛环境下的稳定运行。
IXXA30N65C3HV在设计上优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。该器件的稳定性和可靠性使其成为工业电源、电动车辆充电系统、太阳能逆变器等高要求应用的理想选择。
IXXA30N65C3HV广泛应用于多个高功率电子系统中，包括工业电源、不间断电源（UPS）、电动车辆充电设备、太阳能逆变器、电机驱动器和电源转换器等。其优异的电气性能和可靠性使其成为这些高要求应用中的关键组件。
IXFH30N65X2, IXFN30N65C3
