STF203-33.TCT 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率的电源管理和功率转换应用,具有较低的导通电阻和快速的开关特性,适用于各种需要高功率密度和高可靠性的场合。STF203-33.TCT 采用 TO-220 封装形式,便于散热,适用于工业控制、电源转换器、DC-DC 转换器以及电机驱动等应用场景。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 VDS:300 V
漏极电流 ID:3 A
导通电阻 RDS(on):典型值 1.35 Ω @ VGS = 10 V
栅极电压 VGS:±20 V
最大工作温度:150°C
封装形式:TO-220
STF203-33.TCT 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,具有出色的导通和开关性能。其低导通电阻 RDS(on) 确保了在高电流工作条件下较低的导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件具有快速的开关速度,有助于减少开关损耗并提高电源转换器的响应速度。STF203-33.TCT 采用先进的制造工艺,确保了在高电压和大电流条件下的稳定性和可靠性。
该 MOSFET 的 TO-220 封装形式提供了良好的散热性能,适用于高功率应用。其高耐压能力(300V)使其适用于各种高电压电源管理系统。此外,STF203-33.TCT 的栅极驱动电压范围较宽(±20V),允许使用标准的栅极驱动电路进行控制,简化了设计过程。
该器件还具有良好的抗雪崩能力,能够在瞬态过电压条件下保持稳定运行,提高系统的鲁棒性。此外,STF203-33.TCT 具有较高的热稳定性,能够在高温环境下正常工作,适用于工业级和汽车电子应用。
STF203-33.TCT 广泛应用于各种电源管理和功率转换系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、逆变器、电机驱动器和工业自动化控制系统。其高耐压能力和良好的导通特性使其适用于高电压输入的电源转换电路,如 AC-DC 转换器和 LED 照明驱动电路。
在电机控制应用中,STF203-33.TCT 可用于 H 桥驱动电路中,实现对直流电机或步进电机的高效控制。此外,该器件还可用于电池管理系统中的充放电控制电路,提供高效的能量管理解决方案。
由于其高可靠性和良好的热性能,STF203-33.TCT 也适用于汽车电子系统中的功率控制模块,如电动助力转向系统(EPS)、电动水泵和风扇控制电路。
STF203-33.TCT 可以被 STF203-33.TO、STF203-33.TP 和 STF203-33.TBF 等型号替代。