容量：32Mbit（4MB x8/2MB x16）
　　电压范围：2.7V至3.6V
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：56引脚TSOP
　　访问时间：40ns
　　读取电流：15mA（典型值）
　　待机电流：10mA（典型值）
　　编程/擦除电压：内部电荷泵
　　擦除块大小：不同大小的块结构，包括8KB、32KB和64KB
　　数据保持时间：大于20年
　　擦写次数：每个块可支持10万次擦写

S29GL032A11BAIR40是一款高性能的NOR Flash存储器，具有快速访问时间和灵活的存储块架构，适用于多种嵌入式应用。其40ns的访问时间确保了系统运行的高效性，适合用于代码执行和数据存储。该芯片支持多种擦除模式，包括整个芯片擦除、扇区擦除和块擦除，用户可以根据具体需求选择合适的擦除操作，从而提高存储效率和延长器件使用寿命。
　　此外，S29GL032A11BAIR40具备自动编程和自动擦除功能，简化了软件设计，并提高了系统可靠性。它还支持硬件复位和低功耗模式，适合对功耗敏感的应用场景。该器件采用CMOS工艺制造，具有较强的抗干扰能力和稳定性，可在高温环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备、汽车电子和消费类电子产品。
　　为了增强系统的安全性和可靠性，S29GL032A11BAIR40还提供了写保护功能，包括硬件写保护引脚（WP#）和软件写保护机制。这些功能可以有效防止意外擦除或写入，保护关键数据和代码不被篡改。该芯片符合RoHS环保标准，适用于各种绿色电子产品设计。

S29GL032A11BAIR40广泛应用于需要可靠代码存储和数据存储的嵌入式系统中，例如工业自动化设备、网络通信设备、汽车导航系统、智能家电、安防监控设备等。其高稳定性和宽温范围特性使其在恶劣环境中仍能保持良好性能。

S29GL032A11BAHR40, S29GL032A11TFIR40