STF16360EN是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的功率MOSFET晶体管,属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件专为高效率电源管理和功率转换应用而设计,具备低导通电阻、高耐压和高电流承载能力等优点。STF16360EN通常用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及各类开关电源设备中。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):60V
栅源电压(VGS):±20V
漏极电流(ID):160A(在TC=25°C)
导通电阻(RDS(on)):最大4.5mΩ(典型值3.6mΩ)
功率耗散(PD):300W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
STF16360EN具有极低的导通电阻,这有助于减少导通损耗,提高电源转换效率。其高电流承载能力使其适用于大功率应用,例如工业电源、服务器电源和电动车辆的电力系统。
该MOSFET采用先进的沟槽栅极技术,优化了导通和开关性能。其栅极驱动电压范围较宽,允许使用标准驱动器进行控制,同时也支持并联使用以实现更高的电流能力。
此外,STF16360EN具有良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。其封装设计有利于散热,提高器件在高负载条件下的可靠性。器件的栅极氧化层设计坚固,能够承受较高的电压应力,防止栅极击穿。
在开关特性方面,STF16360EN具备较快的开关速度,适用于高频开关应用,同时通过优化设计降低了开关损耗。这使得它在高频DC-DC转换器和同步整流电路中表现出色。
STF16360EN广泛应用于各种电源管理系统和功率电子设备中,包括但不限于:
1. 高效同步整流器:用于DC-DC转换器和AC-DC电源中,提高转换效率。
2. 服务器和电信电源:为高可靠性系统提供稳定的功率输出。
3. 电池管理系统:用于电动汽车、储能系统中的充放电控制。
4. 工业电源设备:如不间断电源(UPS)、逆变器和马达驱动器。
5. 太阳能逆变器:作为高效功率开关,提高太阳能系统的能量转换率。
由于其高耐压、低导通电阻和大电流能力,STF16360EN特别适合需要高效率和高可靠性的应用场合。
STF200N6F2AG, STP160N6F2AG, IPP160N6S4-03