RB411DT146 时间：2025/12/25 10:13:36 阅读：24

RB411DT146是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）生产的表面贴装肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode, SBD），采用小型化、高密度封装，适用于现代电子设备中对空间和效率要求较高的应用。该器件基于先进的半导体工艺制造，具备低正向电压降、快速开关响应以及良好的热稳定性等优点，广泛用于电源整流、反向电流保护、DC-DC转换器、续流二极管及高频整流电路中。其额定最大重复峰值反向电压（VRRM）为40V，最大平均整流电流为1A，符合工业级工作温度范围要求，适合在多种恶劣环境下稳定运行。RB411DT146采用无铅（Pb-free）环保材料制造，并符合RoHS指令要求，具有良好的环境适应性和可靠性。此外，该器件的小型SOD-123FL封装不仅节省PCB布局空间，还具备优良的散热性能，使其成为便携式电子产品、通信设备、消费类电器和汽车电子系统中的理想选择。

参数

型号：RB411DT146
　　制造商：ROHM Semiconductor
　　封装/包装：SOD-123FL
　　类型：肖特基势垒二极管
　　最大重复峰值反向电压 VRRM：40V
　　最大直流阻断电压 VR：40V
　　最大平均整流电流 IO：1A
　　峰值正向浪涌电流 IFSM：30A
　　正向电压 VF（典型值）：0.51V @ 1A
　　反向漏电流 IR（最大值）：0.1μA @ 25°C, 40V
　　反向恢复时间 trr：≤30ns
　　工作结温范围 TJ：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围 TSTG：-55°C ~ +150°C
　　热阻 RθJA：约250°C/W
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　引脚数：2
　　极性：单二极管
　　湿度敏感等级 MSL：1级（<24小时暴露于大气）
　　无铅状态：符合RoHS，无铅
　　最大功耗 PD：约300mW

特性

RB411DT146作为一款高性能的肖特基势垒二极管，其核心优势在于采用了先进的金属-半导体结结构设计，显著降低了正向导通压降（VF），从而有效减少功率损耗并提升系统整体能效。在1A的工作电流下，其典型正向电压仅为0.51V，远低于传统PN结二极管的0.7V以上水平，这使得它特别适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景中。由于肖特基二极管本质上是多数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度，反向恢复时间trr不超过30ns，能够在高频开关电路中实现快速响应，避免了因反向恢复引起的能量损耗和电磁干扰问题。
　　该器件具有非常低的反向漏电流，在常温25°C、40V反向电压条件下最大仅为0.1μA，确保在待机或轻载状态下仍能保持优异的电气隔离性能。同时，其最大重复反向电压为40V，适用于常见的低压直流电源系统，如USB供电、嵌入式控制器、FPGA或ASIC的辅助电源轨等场合。器件支持高达30A的峰值浪涌电流，具备一定的抗瞬态冲击能力，可在启动或异常工况下提供可靠保护。
　　RB411DT146采用SOD-123FL超小型表面贴装封装，外形尺寸紧凑（典型长度约2.7mm，宽度约1.6mm，高度约1.1mm），非常适合高密度PCB布局需求，尤其适用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等空间受限的产品设计。该封装还优化了内部引线连接与散热路径，提高了热传导效率，有助于维持较低的工作结温，延长器件寿命。产品通过AEC-Q101车规级可靠性认证，可在-55°C至+150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于汽车电子中的各类模块，如车身控制单元、车载信息娱乐系统和传感器供电电路。
　　此外，RB411DT146完全符合RoHS环保标准，不含铅、镉、六价铬等有害物质，满足现代电子产品对绿色制造的要求。其MSL（湿敏等级）为1级，意味着在拆封后无需立即焊接，便于自动化贴片生产线操作，提升了制造良率和生产效率。综合来看，RB411DT146凭借其低VF、高速度、小尺寸与高可靠性，已成为众多工程师在低压高效整流方案中的首选器件之一。

应用

RB411DT146广泛应用于各类需要高效、快速整流功能的电子系统中。常见用途包括：开关模式电源（SMPS）中的输出整流二极管、DC-DC升压或降压转换器中的续流与箝位二极管、电池充电管理电路中的防反接保护元件、太阳能充电控制器中的阻塞二极管、USB接口电源路径管理、便携式消费电子产品（如TWS耳机、智能手表、移动电源）的电源模块、工业控制系统的信号隔离与钳位电路、以及汽车电子中的灯光控制模块和车载充电器等。此外，由于其具备良好的高频响应特性，也可用于射频检波电路或脉冲整形网络中。