时间：2025/6/26 12:22:24
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STF12N65M5是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高压功率MOSFET，属于MDmesh? M5系列产品。该器件采用TO-247封装形式，适用于高电压、大电流的应用场景。STF12N65M5具备低导通电阻和优秀的开关性能，适合于开关电源、电机驱动、逆变器等应用领域。
该器件的最大漏源极电压为650V，连续漏极电流为12A，具有快速开关速度和较低的栅极电荷，能够显著提高系统效率并减少能量损耗。
最大漏源极电压：650V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：3.9Ω
栅极电荷（Qg）：85nC
总功耗：210W
工作结温范围：-55℃至+175℃
STF12N65M5采用MDmesh?技术，具有以下特点：
1. 优化的单元设计使导通电阻更低，从而降低传导损耗。
2. 快速开关速度减少了开关损耗，提升了整体效率。
3. 高击穿电压确保了在高压环境下的稳定运行。
4. 内置反向恢复二极管，降低了反向恢复电荷，提高了高频开关性能。
5. 良好的热特性和可靠性，适合长时间连续运行。
6. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
STF12N65M5广泛应用于各种高压电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 工业电机驱动
3. 太阳能逆变器
4. 不间断电源（UPS）
5. LED照明驱动电路
6. 各类工业控制和家用电器中的高压开关电路。
STF14N65M5
IRFP460
FQA12N65C
