类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装形式：TO-92
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　最大漏极电流（ID）：-100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.5Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　功耗（PD）：300mW

2SJ96是一款通用型P沟道MOSFET，具有优异的开关特性和稳定的性能。其P沟道结构使其在负电压条件下导通，适用于低压开关和逻辑电平转换应用。该器件的导通电阻较低，能够有效降低导通损耗，提高整体效率。此外，2SJ96的封装形式（TO-92）便于手工焊接和安装，适合用于原型设计和小批量生产。
　　2SJ96的栅极控制电压范围较宽，可在-10V至0V之间正常工作，适用于多种驱动电路。其工作温度范围宽，可以在极端环境下稳定运行。此外，该器件的功耗较低，适用于对功耗要求较高的便携式设备和嵌入式系统。
　　由于其较高的可靠性和性价比，2SJ96广泛应用于电子控制系统的开关电路中。例如，在电源管理系统中，2SJ96可以作为负载开关，实现对电源的精确控制；在电机驱动电路中，该器件可以作为H桥的一部分，控制电机的正反转；在数字电路中，2SJ96可作为电平转换器，实现不同电压域之间的信号传递。

2SJ96主要应用于以下领域：
　　1. 电源管理系统：作为负载开关，控制电源的通断，适用于电池供电设备、电源管理模块等。
　　2. 电机驱动电路：用于H桥结构，控制小型直流电机的正反转及调速。
　　3. 数字控制系统：作为电平转换器，实现不同电压域之间的信号转换。
　　4. 信号切换电路：在多路复用器、数据选择器等电路中，用于信号路径的切换。
　　5. 传感器接口电路：用于控制传感器的供电，实现低功耗模式下的智能唤醒。

2SJ103, 2SJ162