PSMN7R5-30MLDX 是一款由 NXP(恩智浦)生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用逻辑电平驱动设计,能够在较低的栅极驱动电压下开启,非常适合用于低功耗和高效能的应用场景。它主要应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效率开关操作的领域。
PSMN7R5-30MLDX 采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻(Rds(on))特性,有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。
类型:N沟道 MOSFET
封装:LFPAK88 (Power-SO8)
最大漏源电压(Vdss):30V
最大连续漏电流(Id):63A
最大栅极漏电流(Igss):±100nA
导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷(Qg):42nC(典型值)
总电容(Ciss):2290pF(典型值)
工作温度范围(Tj):-55°C 至 +175°C
PSMN7R5-30MLDX 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在大电流应用中降低功率损耗。
2. 高效的逻辑电平驱动能力,适合使用低电压信号(如 5V 或 3.3V)直接控制。
3. 小型化的 LFPAK88 封装,节省 PCB 空间且具备良好的散热性能。
4. 能够承受较高的浪涌电流,增强系统的可靠性和稳定性。
5. 工作结温范围宽广,适应各种恶劣环境下的应用需求。
6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。
PSMN7R5-30MLDX 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和功率级开关。
2. 电池管理系统(BMS)中的负载开关和保护电路。
3. 电机驱动器中的 H 桥或半桥开关。
4. 汽车电子中的 DC/DC 转换器和逆变器。
5. 各种工业设备中的功率转换和控制电路。
6. 消费类电子产品中的高效功率管理模块。
PSMN7R0-30MLD, PSMN8R0-30YLD, IRF7843PBF