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PSMN7R5-30MLDX 发布时间 时间:2025/7/12 6:57:44 查看 阅读:8

PSMN7R5-30MLDX 是一款由 NXP(恩智浦)生产的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用逻辑电平驱动设计,能够在较低的栅极驱动电压下开启,非常适合用于低功耗和高效能的应用场景。它主要应用于电源管理、电机驱动、负载开关以及其他需要高效率开关操作的领域。
  PSMN7R5-30MLDX 采用了先进的制造工艺,具备低导通电阻(Rds(on))特性,有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  封装:LFPAK88 (Power-SO8)
  最大漏源电压(Vdss):30V
  最大连续漏电流(Id):63A
  最大栅极漏电流(Igss):±100nA
  导通电阻(Rds(on)):7.5mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷(Qg):42nC(典型值)
  总电容(Ciss):2290pF(典型值)
  工作温度范围(Tj):-55°C 至 +175°C

特性

PSMN7R5-30MLDX 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在大电流应用中降低功率损耗。
  2. 高效的逻辑电平驱动能力,适合使用低电压信号(如 5V 或 3.3V)直接控制。
  3. 小型化的 LFPAK88 封装,节省 PCB 空间且具备良好的散热性能。
  4. 能够承受较高的浪涌电流,增强系统的可靠性和稳定性。
  5. 工作结温范围宽广,适应各种恶劣环境下的应用需求。
  6. 符合 RoHS 标准,绿色环保。

应用

PSMN7R5-30MLDX 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器和功率级开关。
  2. 电池管理系统(BMS)中的负载开关和保护电路。
  3. 电机驱动器中的 H 桥或半桥开关。
  4. 汽车电子中的 DC/DC 转换器和逆变器。
  5. 各种工业设备中的功率转换和控制电路。
  6. 消费类电子产品中的高效功率管理模块。

替代型号

PSMN7R0-30MLD, PSMN8R0-30YLD, IRF7843PBF

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PSMN7R5-30MLDX参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥5.72000剪切带(CT)1,500 : ¥2.43479卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)57A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.6 毫欧 @ 15A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)11.3 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)655 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)45W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装LFPAK33
  • 封装/外壳SOT-1210,8-LFPAK33(5 根引线)