MT15N5R0C500CT是一款基于碳化硅(SiC)技术的MOSFET功率晶体管,由Microchip Technology生产。该器件具有高效率、高频开关能力和低导通损耗的特点,广泛适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电桩等高功率密度应用场合。
该器件采用了先进的沟槽式结构设计,能够在高电压环境下保持卓越的性能和可靠性。
型号:MT15N5R0C500CT
最大漏源电压(Vds):1200V
持续漏极电流(Id):15A
导通电阻(Rds(on)):5mΩ
栅极电荷(Qg):95nC
反向恢复时间(trr):70ns
工作温度范围:-55℃至175℃
MT15N5R0C500CT采用碳化硅材料制造,具备出色的耐高温性能和低导通损耗。其主要特点包括:
1. 高效率:在高频开关条件下仍然能够保持较低的能量损耗。
2. 快速开关能力:得益于极低的反向恢复时间和小的栅极电荷,适合高频应用。
3. 热稳定性强:能够在极端温度范围内稳定运行。
4. 耐高压:支持高达1200V的工作电压,为复杂电路提供了更大的安全裕度。
5. 高可靠性:经过严格的工艺控制和测试流程,保证长期使用的可靠性。
这款功率MOSFET非常适合需要高效能和高可靠性的电力电子系统。典型的应用领域包括:
1. 工业电源转换器。
2. 光伏逆变器中的DC/AC转换。
3. 电动汽车充电站及车载充电设备。
4. 不间断电源(UPS)系统。
5. 电机驱动控制器和其他高频功率转换场景。
CMF15060G, CSD19536KCS