时间：2025/7/1 16:31:00
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MT15N5R0C500CT是一款基于碳化硅（SiC）技术的MOSFET功率晶体管，由Microchip Technology生产。该器件具有高效率、高频开关能力和低导通损耗的特点，广泛适用于工业电源、太阳能逆变器、电动汽车充电桩等高功率密度应用场合。
该器件采用了先进的沟槽式结构设计，能够在高电压环境下保持卓越的性能和可靠性。
型号：MT15N5R0C500CT
最大漏源电压（Vds）：1200V
持续漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：5mΩ
栅极电荷（Qg）：95nC
反向恢复时间（trr）：70ns
工作温度范围：-55℃至175℃
MT15N5R0C500CT采用碳化硅材料制造，具备出色的耐高温性能和低导通损耗。其主要特点包括：
1. 高效率：在高频开关条件下仍然能够保持较低的能量损耗。
2. 快速开关能力：得益于极低的反向恢复时间和小的栅极电荷，适合高频应用。
3. 热稳定性强：能够在极端温度范围内稳定运行。
4. 耐高压：支持高达1200V的工作电压，为复杂电路提供了更大的安全裕度。
5. 高可靠性：经过严格的工艺控制和测试流程，保证长期使用的可靠性。
这款功率MOSFET非常适合需要高效能和高可靠性的电力电子系统。典型的应用领域包括：
1. 工业电源转换器。
2. 光伏逆变器中的DC/AC转换。
3. 电动汽车充电站及车载充电设备。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. 电机驱动控制器和其他高频功率转换场景。
CMF15060G, CSD19536KCS
