STF11N50M2 时间：2025/7/23 9:40:31 阅读：9

STF11N50M2 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等高功率电子设备中。该器件采用先进的MESH OVERLAY技术，提供低导通电阻和高击穿电压，具备优异的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(Vds)：500V
　　最大漏极电流(Id)：11A @ 100°C
　　导通电阻(Rds(on))：0.42Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V ~ 4.0V
　　最大功率耗散(Pd)：75W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

STF11N50M2 的核心特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得在导通状态下的功率损耗显著降低，提高了整体系统效率。其最大漏源电压达到500V，使其适用于高电压应用场景。此外，该MOSFET具备良好的热性能，能够在较高温度下稳定运行，适合工业级和高可靠性应用。
　　该器件采用的MESH OVERLAY技术提供了优异的雪崩能量承受能力，增强了器件在极端工作条件下的稳定性。栅极阈值电压范围为2.0V至4.0V，确保了良好的开关控制性能，同时减少了误触发的风险。TO-220封装形式具有良好的散热能力，适用于中高功率应用场合。
　　此外，STF11N50M2具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高系统效率。其优异的动态性能使其在高频开关应用中表现良好，适用于如电源适配器、电机驱动、LED照明等需要高频操作的电路。

应用

STF11N50M2 主要应用于各类功率转换设备中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器以及LED照明系统。在这些应用中，该器件能够提供高效、稳定的功率控制性能。
　　在开关电源设计中，STF11N50M2 可用于主开关或同步整流电路，以提高电源转换效率并减少热量产生。在DC-DC转换器中，该MOSFET适用于升压（Boost）或降压（Buck）拓扑结构，实现高效的电压调节。此外，该器件也适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）等新能源系统中，提供可靠的功率开关功能。
　　由于其高耐压和低导通电阻特性，STF11N50M2 也常用于电机控制和驱动电路，确保在高负载条件下稳定运行。在LED照明系统中，该MOSFET可作为主控开关，实现高效节能的照明方案。