时间:2025/11/12 21:12:42
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K7A163600M-QC15是一款由三星(Samsung)生产的高性能动态随机存取存储器(DRAM)芯片,属于其同步动态随机存取存储器(SDRAM)产品线中的一员。该芯片主要面向需要高带宽、低延迟和稳定数据传输的嵌入式系统与网络通信设备应用。作为一款CMOS型、低压、高速的存储器件,K7A163600M-QC15广泛应用于路由器、交换机、工业控制设备以及部分高端消费类电子产品中。该器件采用先进的制造工艺,具备良好的功耗控制能力,适合在对散热和能效有较高要求的应用场景中使用。其封装形式为小型化设计,便于在空间受限的PCB布局中部署,同时支持自动刷新和省电模式,以进一步优化系统整体能耗表现。
类型:SDRAM
密度:256Mb
组织结构:16M x 16位
工作电压:3.3V ± 0.3V
时钟频率:166MHz
数据速率:单倍数据速率(SDR)
封装类型:TSOP-II, 54引脚
工作温度范围:0°C 至 70°C
存取时间:约6ns
刷新周期:64ms / 8192行
突发长度:1, 2, 4, 8
突发类型:顺序或交错
输入/输出逻辑:LVTTL
最大功耗:典型值约为1.2W(取决于工作负载)
K7A163600M-QC15具备多项关键特性,使其在同类SDRAM产品中具有较强的竞争力。首先,其256Mb的存储容量以16M x 16位的组织方式提供,适用于需要中等容量但高吞吐率的数据缓存场景。该芯片支持166MHz的系统时钟频率,能够实现高达166MB/s的理论峰值数据传输速率,满足对实时性要求较高的通信处理需求。其采用的LVTTL接口标准确保了与主流控制器和处理器的良好兼容性,降低了系统集成难度。
其次,该器件在功耗管理方面表现出色。它支持多种低功耗操作模式,包括自刷新模式(Self-Refresh Mode)和电源关闭模式(Power-Down Mode),可在系统空闲时显著降低电流消耗。这对于长期运行且依赖散热控制的网络设备尤为重要。此外,内部采用CMOS技术制造,不仅提升了开关速度,还有效抑制了静态漏电流,从而提高了整体能效比。
再者,K7A163600M-QC15具备完整的同步控制架构,所有输入输出信号均与时钟上升沿同步,保证了数据传输的稳定性和时序一致性。它支持可编程的突发长度(1、2、4、8)和突发类型(顺序或交错),允许用户根据具体应用灵活配置内存访问模式,优化性能表现。芯片内部集成了地址缓冲器、行列译码器、感应放大器阵列及刷新控制逻辑,实现了全自动化内存管理功能,减轻了外部主控的压力。
最后,该器件通过严格的工业级测试认证,具备良好的抗干扰能力和温度稳定性,能够在复杂电磁环境中可靠运行。TSOP-II 54引脚封装提供了优良的电气性能和机械强度,同时便于自动化贴片生产,适合大规模批量制造。综合来看,K7A163600M-QC15是一款兼顾性能、功耗与可靠性的成熟SDRAM解决方案。
K7A163600M-QC15主要用于各类需要中等容量高速缓存的嵌入式系统和通信基础设施设备中。典型应用包括宽带接入设备如ADSL/Cable调制解调器、家庭网关和企业级路由器等网络硬件平台,这些设备通常需要快速响应数据包转发任务,而该芯片提供的高带宽与低延迟特性正好满足此类需求。此外,在局域网交换机、网络附加存储(NAS)设备以及IP摄像头等监控系统中,该DRAM常被用作帧缓冲或协议处理缓存,提升系统整体处理效率。
在工业自动化领域,该芯片也被广泛用于PLC控制器、人机界面(HMI)终端和远程I/O模块中,作为程序运行内存或临时数据存储单元。由于其工作温度范围覆盖商用级标准(0°C至70°C),虽然不适用于极端环境,但在大多数室内工业环境中仍能保持稳定运行。部分高端消费类电子产品,如数字电视、机顶盒和多媒体播放器,也曾采用此型号进行图像和音频数据的暂存处理。
此外,K7A163600M-QC15还可用于测试测量仪器、医疗电子设备中的显示控制模块以及其他对成本敏感但性能要求适中的电子系统中。得益于其成熟的生产工艺和长期供货记录,许多设计工程师在其产品生命周期内优先选择该器件以确保供应链稳定性。尽管当前市场正逐步向DDR SDRAM迁移,但在一些无需极高带宽的老款或维护型项目中,该芯片依然具有实际应用价值。
K4S281632K-UC75
MT48LC2M16A2P-7T
IS42S16100F-7BL